处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7319TRPBF-VB

IRF7319TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: IRF7319TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7319TRPBF-VB

IRF7319TRPBF-VB概述

    IRF7319TRPBF N-Channel and P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF7319TRPBF 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel和P-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET采用了TrenchFET®技术,具有高效率和低导通电阻的特点,适用于电机驱动和便携式电源银行等多种应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 30 | - | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | - | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | TC=25°C | - | 8 | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 | IAS | - | 10 | - | 20 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | TC=25°C | - | 3.1 | - | W |
    | 绝对最大结温 | TJ, Tstg | - | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试。
    - 高效率:低导通电阻(0.018 Ω@VGS=10V, 30V)。
    - 宽工作温度范围:-55°C到150°C。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:IRF7319TRPBF常用于电机驱动系统,如小型电动工具和移动电源银行。它能够在各种条件下稳定工作,特别是在高温环境中表现出色。
    使用建议:
    - 确保在应用电路中提供足够的散热措施,特别是在高电流情况下。
    - 使用时应注意避免过压和过流,以免损坏MOSFET。
    - 避免在极端温度下长时间工作,以延长产品寿命。

    5. 兼容性和支持


    IRF7319TRPBF采用SO-8封装,可轻松与其他标准SO-8封装的电子元器件兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用产品的所有功能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查栅极-源极电压(VGS)是否低于阈值电压。 |
    | 雪崩电压过高 | 使用外部保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)。 |
    | 温度过高导致性能下降 | 增加散热片或风扇来提高散热效果。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRF7319TRPBF是一款高效、可靠的MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品。其出色的热性能、高可靠性以及环保特性使其在市场上具备较强的竞争力。建议在需要高性能和稳定性的应用中优先选择此产品。

IRF7319TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
FET类型 N+P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7319TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7319TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7319TRPBF-VB IRF7319TRPBF-VB数据手册

IRF7319TRPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504