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JCS10N65FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: JCS10N65FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS10N65FT-O-F-N-B-VB

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB概述

    # JCS10N65FT-O-F-N-B-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种高要求的电源转换和开关模式应用。其低导通电阻(Ron)和极低的门极电荷(Qg)使得其在各种应用中表现出色,尤其适合用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球泡)及工业领域。

    技术参数


    - 额定电压:650V (VDS)
    - 漏源导通电阻:在 25°C 和 10V 栅极驱动下为 0.108Ω (RDS(on))
    - 最大连续漏极电流:在 100°C 环境温度下的典型值为 100A (ID)
    - 最大单脉冲雪崩能量:97mJ (EAS)
    - 总栅极电荷:在 10V 栅极驱动下为 16.2nC (Qg)
    - 输入电容:在 0V 栅极驱动和 100V 漏源电压下的典型值为 3484pF (Ciss)
    - 输出电容:在 0V 栅极驱动下的典型值为 1900pF (Coss)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C (TJ, Tstg)
    - 最大工作结温:150°C (TJ)

    产品特点和优势


    JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 具备以下显著优势:
    - 低损耗:低导通电阻和低栅极电荷,减少开关和传导损失。
    - 快速开关:超低栅极电荷和高耐压能力,保证高效的开关性能。
    - 高可靠性:雪崩能量评级确保其在恶劣条件下仍能稳定运行。
    - 广泛适用性:适用于多种高功率应用场合,提供广泛的性能和成本效益。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:用于高效稳定的电源管理。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯球泡的应用中提供优秀的控制和保护。
    - 工业设备:适用于高功率密度的工业控制系统。
    使用建议
    - 散热设计:合理规划散热系统,以确保器件在高温环境下正常工作。
    - 驱动电路:建议使用合适的栅极驱动电路,以减小开关损耗并提高整体效率。
    - 测试验证:在首次使用前进行充分的测试验证,确保符合预期的应用需求。

    兼容性和支持


    JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 可与多种电源系统兼容,支持广泛的栅极驱动电压和电流。厂商提供详尽的技术支持,包括在线文档、培训和技术咨询服务,以帮助客户顺利集成到各自的设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方案:建议根据具体应用需求选择合适的栅极驱动电阻,以平衡开关速度和功耗。
    - 问题:在高温环境下如何保持良好的性能?
    - 解决方案:采用有效的散热措施,如外部冷却装置,以降低工作结温。

    总结和推荐


    JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,在高效率和可靠性方面表现卓越。其广泛的应用范围和较低的损耗使其成为服务器电源、电信电源、PFC 电源、照明系统及工业控制系统的理想选择。综上所述,强烈推荐使用该产品,尤其是在需要高效稳定电源转换的应用场合。

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS10N65FT-O-F-N-B-VB JCS10N65FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB封装设计

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