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IPP03N03LBG_08-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: IPP03N03LBG_08-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP03N03LBG_08-VB

IPP03N03LBG_08-VB概述

    # IPP03N03LBG08-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP03N03LBG08-VB 是一款高性能的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET® Power MOSFET技术。此款产品主要应用于服务器、直流/直流转换器等领域,能够有效地进行电源管理及电路保护。

    技术参数


    以下是IPP03N03LBG08-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):在结温 (TJ) = 175°C时为120A;在结温 (TJ) = 70°C时为60A
    - 脉冲漏电流 (IDM):380A
    - 雪崩电流脉冲 (IAS):36A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):64.8V
    - 最大功耗 (PD):在结温 (TJ) = 175°C时为250W
    - 绝对最大额定值
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 绝对最大温度范围:存贮温度范围 (Tstg):-55至175°C
    热阻参数
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA):32°C/W(最大值)
    - 最大结点到外壳热阻 (RthJC):0.5°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽式场效应晶体管技术,具有极低的导通电阻。
    - 严格的测试:100% Rg和UIS测试,确保产品的可靠性。
    - 环保认证:符合RoHS指令2011/65/EU标准,保证了产品的环保属性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing:作为电源冗余管理系统的关键部件,提供可靠的电源切换功能。
    - 服务器:适用于高功率服务器系统,提高系统的稳定性和效率。
    - DC/DC转换器:用于各类直流电源转换场景,提升转换效率。
    使用建议
    - 散热设计:由于最大功耗较高,建议使用良好的散热设计以避免过热导致的性能下降。
    - 负载管理:合理分配负载,防止电流超过额定值,以免造成损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPP03N03LBG08-VB MOSFET与市场上大多数标准电子设备兼容,可以方便地集成到现有的电子系统中。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括产品文档、在线技术支持等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,并增加额外的散热措施。
    - 问题2:电流不稳定
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,重新计算负载电流并调整电路配置。
    - 问题3:性能低于预期
    - 解决方案:确认应用环境是否符合产品要求,确保正确使用。

    总结和推荐


    IPP03N03LBG08-VB N-Channel 30-V MOSFET 在其应用领域表现出色,具有优秀的电气特性和可靠性。特别是在服务器、直流/直流转换器等应用场景中表现突出。推荐给需要高性能电源管理解决方案的设计者和工程师使用。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

IPP03N03LBG_08-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP03N03LBG_08-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP03N03LBG_08-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP03N03LBG_08-VB IPP03N03LBG_08-VB数据手册

IPP03N03LBG_08-VB封装设计

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