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K1869L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K1869L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1869L-VB

K1869L-VB概述


    产品简介


    产品名称:4VQFS+NVODUJPO Power MOSFET
    产品类型:
    N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    这款MOSFET以其低功耗和高效率著称,适用于多种电力转换应用。具体来说,它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),使得其在开关操作中表现出色。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器
    - 工业设备

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压 | 650 V |
    | 栅源电压 | ±30 V |
    | 漏极连续电流 | 80 °C时为25 A |
    | 脉冲漏极电流 | 125 °C时为25 A |
    | 热阻抗 | 最大结到环境热阻:63°C/W |
    | 雪崩耐受能力 | 单脉冲雪崩能量:97 mJ |
    | 最大功率损耗 | 100 °C时为80 W |
    | 运行温度范围 | 结温及存储温度:-55至+150 °C |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低导通电阻:在10 V栅极电压下的最大导通电阻为0.7 Ω。
    - 低输入电容:典型输入电容(Ciss)为147 pF。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)最高为18 nC。
    - 快速开关特性:关断延迟时间(td(off))约为25 ns,开通过程同样迅速。

    产品优势:
    - 高效能输出,减少电力消耗。
    - 在高温下也能保持稳定性能。
    - 极佳的开关速度,适合需要快速切换的应用。

    应用案例和使用建议


    在实际应用中,此款MOSFET特别适合用于SMPS、PFC和工业电源等需要高效电力转换的场合。考虑到其优越的散热性能,建议选择合适的散热器以进一步提高可靠性。此外,在设计电路时,应关注驱动信号的频率和电压范围,确保MOSFET在正常工作范围内运行。

    兼容性和支持


    该MOSFET适用于多种封装类型,如TO-220AB、TO-252和TO-251。与其它电子元器件的兼容性良好,可用于各类标准PCB布局。厂商提供了详细的技术支持和保修服务,以帮助用户解决问题和提升应用性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:栅极击穿电压不足导致设备损坏。
    解决方案: 确保栅极电压不超过规定的极限值(±30 V)。可采用额外的电压保护电路来增强安全性。
    问题2:过高的工作温度导致器件故障。
    解决方案: 正确安装散热片,以确保MOSFET在工作温度范围内运行。监测实际温度,并采取适当的冷却措施。
    问题3:开关过程中出现振铃现象。
    解决方案: 选择正确的栅极电阻值,以减少不必要的高频震荡。同时,确保电路布局的合理性,降低引线电感。

    总结和推荐


    综上所述,4VQFS+NVODUJPO Power MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用性,成为现代电力电子应用的理想选择。它的低导通电阻和低栅极电荷使其非常适合需要高效电力转换的应用场景。对于寻求高性能电力管理解决方案的设计者和工程师而言,推荐使用此产品。

K1869L-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1869L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1869L-VB数据手册

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K1869L-VB封装设计

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