处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB070N06LG-VB

IPB070N06LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: IPB070N06LG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB070N06LG-VB

IPB070N06LG-VB概述

    IPB070N06L G-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPB070N06L G-VB 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力电子应用。它采用了先进的沟槽栅极技术(TrenchFET®),并在封装上具有低热阻特性。该器件能够在高电流和电压环境下稳定工作,广泛应用于电源管理、电动工具、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \) (TC = 125°C): 65A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 350A
    - 单脉冲雪崩电流 \( IA \): 65A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 211mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \) (TC = 25°C): 220W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55°C 至 +175°C
    - 热阻率
    - 结到环境 PCB 安装 (R\({thJA}\)): 40°C/W
    - 结到管壳 (R\({thJC}\)): 0.65°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V
    - 栅源漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): 50μA (V\({GS}\) = 0V, V\({DS}\) = 60V)
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 7000pF (V\({GS}\) = 0V, V\({DS}\) = 25V)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 715pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 360pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 96nC 至 145nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 16ns 至 24ns

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率 MOSFET 技术:先进的沟槽栅极结构提高了电流处理能力和效率。
    - 低热阻封装:增强了散热能力,使得器件能在更高负载下运行。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保了器件在各种条件下的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
    - 使用建议:在高功率应用中应注意散热设计,合理选择外部电阻和电容,以提高系统稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可与其他标准 TO-263 封装的 MOSFET 相互替换,简化设计和制造过程。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和应用指南,帮助用户正确使用和维护该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下器件过热。
    - 解决方案:加强散热设计,如增加散热片或采用更高效的散热方案。
    - 问题2:输出电流不足。
    - 解决方案:检查电路连接和外部器件参数,确保满足器件的输入要求。
    - 问题3:工作时出现噪声。
    - 解决方案:检查电源供应和地线布局,确保良好的接地和去耦电容设计。

    7. 总结和推荐


    IPB070N06L G-VB 是一款性能优异、可靠性高的 N 沟道 MOSFET,特别适合高电流、高功率的应用场合。其独特的 TrenchFET® 技术和低热阻封装使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。

IPB070N06LG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 150A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB070N06LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB070N06LG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB070N06LG-VB IPB070N06LG-VB数据手册

IPB070N06LG-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336