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966E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
供应商型号: 966E-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 966E-VB

966E-VB概述


    产品简介


    本产品是一款高性能的双N沟道25伏(D-S)功率MOSFET,型号为966E。TrenchFET®技术的应用使得该产品在效率和热稳定性方面具有卓越表现。其广泛应用于电源转换、电机控制、汽车电子、通信设备及工业自动化等领域。该产品不仅支持无卤素选项,还具备出色的热管理和低导通电阻特性,使其成为高可靠性要求下的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):25V
    - 最大栅源电压(VGS):±12V

    - 电流参数
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):25°C时为6.6A,70°C时为5.2A
    - 脉冲漏极电流(IMD):30A

    - 其他参数
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在4.5V栅源电压下为0.022Ω,在2.5V栅源电压下为0.032Ω
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 高效率和低损耗:得益于TrenchFET®技术,该产品具有低导通电阻(RDS(on)),在不同电压条件下均有优异的表现。
    2. 热管理优秀:最大结点到散热器热阻(RthJF)仅为55°C/W,能够有效降低工作过程中的温度上升,提高可靠性。
    3. 无卤素和RoHS认证:支持无卤素选项,且符合RoHS标准,适用于对环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:用于各种开关电源的直流变换器,如直流-直流变换器。
    - 电机控制:在各种电机驱动电路中,如电动汽车、工业机器人等。
    - 汽车电子:适用于车身电子系统,如雨刷、车窗控制等。
    - 通信设备:用于电源管理系统中的稳压电路,确保设备稳定运行。
    使用建议
    - 优化散热设计:由于其良好的热管理能力,适当的PCB布局和散热设计是必不可少的,以进一步提高可靠性和使用寿命。
    - 选择合适的驱动电压:根据不同的应用场景,合理选择驱动电压,如在某些情况下可选用较低的2.5V栅源电压以减少功耗。

    兼容性和支持


    该产品采用TSSOP-8封装,易于集成于现有的电路板设计中。厂商提供详尽的技术支持,包括详细的产品资料、应用指南及技术支持热线,确保客户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:在高温环境下,产品的性能是否会下降?
    - A:该产品的工作温度范围为-55°C至+150°C,经过优化的设计确保其在高温环境下依然能够保持稳定性能。但为了延长寿命和提高可靠性,建议采取有效的散热措施。
    2. Q:如何测试该产品的漏电流?
    - A:可以在不同的电压和温度条件下进行测试,通过专用仪器测量漏电流值,以验证其在实际应用中的性能。

    总结和推荐


    综上所述,该款966E双N沟道25伏功率MOSFET凭借其卓越的电气特性和出色的热管理性能,成为多种应用场景下的优选产品。其高效率、低损耗、环保特性以及出色的支持服务使其在市场上具有很高的竞争力。无论是对于初次使用者还是有经验的工程师来说,都是一款值得信赖的选择。强烈推荐在相关应用领域中使用该产品。

966E-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 20/22mΩ@4.5V,24/27mΩ@2.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 4.8A,4.8A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

966E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

966E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 966E-VB 966E-VB数据手册

966E-VB封装设计

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