处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK1958-VB

2SK1958-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: 2SK1958-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1958-VB

2SK1958-VB概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一种高效能的场效应晶体管(Field Effect Transistor),其核心特点是采用TrenchFET®技术,能够提供低导通电阻和高可靠性。这种MOSFET适用于多种便携式设备的应用场景,如负载开关、电池切换等。此外,它们还广泛应用于电机、继电器和电磁阀的控制。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 | - | ±12 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 4 | - | 4 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 20 | A |
    | 二极管最大正向电流 | IS | 2.3 | - | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 2.8 | - | - | W |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 低至 0.036 Ω @ VGS = 10 V,有助于减少能量损耗,提高效率。
    - 高可靠性和鲁棒性:符合RoHS和无卤素标准,通过IEC 61249-2-21认证。
    - 典型ESD保护:2000 V HBM(人体模型)。
    - 快速开关性能:得益于TrenchFET®技术,确保了低栅电荷和快速响应时间。

    4. 应用案例和使用建议


    - 便携式设备:如智能手机和平板电脑的电池开关电路。
    - 负载开关:用于电机、继电器和电磁阀的控制。

    使用建议:
    - 在高频率应用中,使用较低的栅电阻以加快开关速度。
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    该产品与市面上主流的便携式设备兼容,并且符合RoHS和无卤素要求,可以放心使用在各种工业环境中。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 为什么需要设置栅电阻?
    - A1: 设置栅电阻是为了限制栅电流,防止在开启和关闭过程中由于瞬间电流过大而损坏MOSFET。
    - Q2: 如何选择合适的栅电阻?
    - A2: 根据具体应用的开关频率和驱动能力来选择合适的栅电阻值。一般建议在1到10Ω之间。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 具备优异的性能和广泛的应用场景,特别是对于便携式设备的设计来说是理想的选择。其低导通电阻和高可靠性使其在众多同类产品中脱颖而出。强烈推荐使用该产品。
    如有更多疑问,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

2SK1958-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK1958-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1958-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1958-VB 2SK1958-VB数据手册

2SK1958-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
库存: 400000
起订量: 70 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:70
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0