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HUF76633P3_12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: HUF76633P3_12-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76633P3_12-VB

HUF76633P3_12-VB概述

    HUF76633P312-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF76633P312-VB 是一款来自台湾 VBsemi 的 N-Channel MOSFET,具有出色的性能和可靠性。它采用了先进的 TrenchFET® Power MOSFETS 技术,适用于各种高电流应用。其主要功能包括低导通电阻、高耐温性以及良好的热阻特性,使其成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 漏极-源极电压 (VDS):100 V
    - 连续漏极电流 (TC):55 A (TJ = 25 °C), 40 A (TJ = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):35 A
    - 最大功率耗散 (PD):127 W (TJ = 25 °C), 3.75 W (TA = 25 °C)
    - 电气特性:
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)):75 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.036 Ω (VGS = 10 V)
    - 峰值反向恢复电流 (IRM(REC)):58 A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):0.15 - 0.4 µC
    - 环境参数:
    - 工作温度范围:-55 至 175 °C
    - 结点到环境的热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 结点到外壳的热阻 (RthJC):1.4 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:能够承受高达 175 °C 的结点温度,确保在高温环境下稳定运行。
    - 低导通电阻:导通电阻仅为 0.036 Ω,保证低损耗,提高效率。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® Power MOSFETS 技术,提供优异的可靠性。
    - 低热阻设计:结点到外壳的热阻仅为 1.4 °C/W,有效散热,提升系统整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:HUF76633P312-VB 广泛应用于电源管理(如 DC-DC 转换器)和电机控制等领域。
    - 使用建议:
    - 确保散热措施得当,避免因过热导致性能下降。
    - 在高脉冲电流情况下,建议使用合适的 PCB 设计以降低热阻。
    - 在低温环境下使用时,注意检查导通电阻的变化,确保电路正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HUF76633P312-VB 采用 TO-220AB 封装,易于与其他标准电路板组件兼容。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 提供专业的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和技术文档支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:长时间工作后发热严重。
    - 解决方案:检查散热片安装是否正确,确保良好的散热条件。
    - 问题 2:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:使用稳定的电源并加装滤波电容,确保栅极电压稳定。
    - 问题 3:设备过早失效。
    - 解决方案:确保在规定的绝对最大额定条件下使用设备,并定期进行健康检查。

    7. 总结和推荐


    HUF76633P312-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,具有出色的耐温性和低导通电阻。它在电源管理和电机控制等领域表现出色,推荐用于需要高效、稳定工作的场合。台湾 VBsemi 提供的完善的技术支持和售后服务,使得该产品在市场竞争中占据优势地位。
    该文章根据 HUF76633P312-VB 技术手册内容编写,涵盖了产品特点、技术参数、应用建议及常见问题解答,希望对您选购和使用此款 MOSFET 提供参考。

HUF76633P3_12-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 55A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUF76633P3_12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76633P3_12-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76633P3_12-VB HUF76633P3_12-VB数据手册

HUF76633P3_12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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