处理中...

首页  >  产品百科  >  K2871-01-VB

K2871-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K2871-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2871-01-VB

K2871-01-VB概述

    K2871-01-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2871-01-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具备低门极电荷(Qg)和出色的耐压能力,适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源系统和其他高电压、高频率的应用场景。该产品凭借其优越的性能参数,在电力转换和管理领域有着广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):600V
    - 门源电压(VGS):±30V
    - 额定连续漏电流(ID):10V时为8.0A,100℃时为5.8A
    - 脉冲漏电流(IMD):37A
    - 最大耗散功率(PD):170W
    - 最大雪崩能量(EAS):290mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):8.0A
    - 重复雪崩能量(EAR):17mJ
    - 钳位二极管恢复时间(trr):530ns(25℃时)

    - 动态特性
    - 总栅极电荷(Qg):49nC
    - 门源电荷(Qgs):13nC
    - 门漏电荷(Qgd):20nC
    - 开启延迟时间(td(on)):13ns
    - 关断延迟时间(td(off)):30ns
    - 热特性
    - 最大结到壳热阻(RthJC):0.75℃/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62℃/W
    - 静态特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):10V时为0.780Ω
    - 输入电容(Ciss):1400pF
    - 输出电容(Coss):180pF
    - 反向转移电容(Crss):7.1pF

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:低门极电荷(Qg)意味着简单的驱动需求,降低了系统成本和复杂性。
    - 增强的坚固性:改善的门极、雪崩和动态dV/dt坚固性,使该MOSFET适用于各种恶劣环境下的应用。
    - 全面表征:全面的电容和雪崩电压及电流表征确保了可靠性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    K2871-01-VB MOSFET 广泛应用于:
    - 开关模式电源(SMPS):适用于不同类型的SMPS拓扑,如有源钳位正激拓扑。
    - 不间断电源系统:用于关键负载的不间断供电。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免高温引起的可靠性问题。
    - 在选择合适的驱动电路时,需注意门极电荷的影响,以优化开关速度和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    K2871-01-VB MOSFET 具有良好的通用性和兼容性,可以与其他电子元器件无缝集成。VBsemi公司提供技术支持和售后服务,包括详细的产品文档和技术指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:改善散热设计,确保器件工作温度在安全范围内。
    - 问题2:驱动电路不匹配
    - 解决方案:选择合适型号的驱动芯片,确保驱动电压和电流符合器件要求。
    - 问题3:门极驱动信号不稳定
    - 解决方案:优化门极布线设计,降低寄生电感,保证信号完整性。

    7. 总结和推荐


    K2871-01-VB MOSFET 凭借其出色的性能参数和多功能特性,在电力转换和管理领域表现出色。它的低门极电荷、增强的坚固性以及全面的电容和雪崩特性使其成为许多高要求应用的理想选择。建议在涉及高电压和高频率的电力转换项目中使用该产品。通过合理的散热设计和正确的驱动电路配置,可进一步提升其性能和可靠性。

K2871-01-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2871-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2871-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2871-01-VB K2871-01-VB数据手册

K2871-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831