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JCS20N20FT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: JCS20N20FT-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS20N20FT-VB

JCS20N20FT-VB概述

    JCS20N20FT-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册概述



    产品简介



    JCS20N20FT-VB 是一款N沟道200V耐压的MOSFET,适用于多种电子应用场合。这款器件具有低热阻、快速开关速度以及高可靠性等特点,使其成为电源管理、电机驱动和逆变器应用的理想选择。


    技术参数



    以下是JCS20N20FT-VB的技术规格和关键性能参数:

    - 电压规格:
    - 耐压(VDS):200 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):14 A @ 100 °C
    - 脉冲漏极电流(IDM):72 A
    - 最大功率耗散(PD):42 W @ TC = 25 °C

    - 电阻参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):0.058 Ω @ VGS = 10 V

    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):1300 pF @ 1.0 MHz
    - 输出电容(Coss):430 pF
    - 反向转移电容(Crss):130 pF

    - 动态参数:
    - 开关时间:14 ns(td(on))
    - 下降时间:36 ns(tf)

    - 其他参数:
    - 雪崩能量(EAS):580 mJ
    - 重复雪崩能量(EAR):13 mJ
    - 体二极管反向恢复时间(trr):300 ns
    - 最大工作温度:150 °C


    产品特点和优势



    JCS20N20FT-VB 具有多项显著的优势,包括:
    - 低热阻:保证高效的热管理能力,提高长期可靠性。
    - 快速开关:低至14 ns的开通过程时间和36 ns的下降时间,提高了系统的响应速度。
    - 高耐温性能:能够承受高达150 °C的工作温度,适合高温环境下的应用。
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料设计,符合RoHS指令。


    应用案例和使用建议



    JCS20N20FT-VB 适用于多种高压转换应用,如电源管理模块、逆变器和电动机控制等。建议在使用过程中注意以下几点:
    - 在极端条件下使用时,需确保散热系统足够高效。
    - 在高频切换应用中,可能需要额外的去耦电容来减少EMI。


    兼容性和支持



    JCS20N20FT-VB 支持通过贴片和通孔两种安装方式,方便集成到不同的电路板设计中。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询。


    常见问题与解决方案



    1. 发热问题
    - 问题:长时间运行后器件过热。
    - 解决方法:增加散热器或改善PCB布局,确保良好的热分布。

    2. 开关损耗过高
    - 问题:开关过程中的损耗较大。
    - 解决方法:优化驱动电路,选择更合适的栅极电阻(Rg)以加快开关速度。


    总结和推荐



    JCS20N20FT-VB凭借其出色的性能和广泛的应用范围,在电力电子领域表现出色。其在高压应用中的卓越表现和环保特性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子工程师和技术爱好者。

    如需进一步技术支持或购买信息,请联系VBsemi官方服务热线:400-655-8788。

JCS20N20FT-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS20N20FT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS20N20FT-VB数据手册

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JCS20N20FT-VB封装设计

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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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