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K893-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K893-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K893-VB

K893-VB概述

    高效功率N-Channel MOSFET技术手册

    产品简介


    这款VBsemi K893是一款高性能的N-Channel功率MOSFET,广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他高速电力转换领域。凭借其卓越的低门极电荷(Qg)和增强的门极耐压能力,它简化了驱动要求,同时在苛刻的应用环境中展现了出色的可靠性。K893适合多种离线SMPS拓扑结构,例如主动钳位正激拓扑和主开关拓扑。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):600V
    - 门极-源极电压(VGS):±30V
    - 持续漏电流(ID):
    - TC=25°C时为8.0A
    - TC=100°C时为5.8A
    - 脉冲漏电流(IMD):37A
    - 最大热耗散(PD):170W
    - 开关特性:
    - 开通延迟时间(td(on)):13ns
    - 上升时间(tr):25ns
    - 关断延迟时间(td(off)):30ns
    - 下降时间(tf):22ns
    - 反向恢复特性:
    - 反向恢复时间(trr):530ns至800ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):3.0μC至4.4μC
    此外,K893的静态和动态特性也表现出色,包括:
    - 最大雪崩能量(EAS):290mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR):8.0A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):17mJ

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):简化驱动电路设计,降低功耗并提高效率。
    2. 增强的雪崩和动态dV/dt耐用性:适用于高可靠性需求的应用场景。
    3. 精确的电容和雪崩特性测试:确保在恶劣环境下的稳定运行。
    4. 宽温度范围:-55°C至+150°C的运行温度使其适用于各种复杂环境。

    应用案例和使用建议


    K893特别适用于开关电源模块,尤其在以下场景中表现优异:
    1. 高效开关电源:利用其快速开关特性,减少损耗并提高系统效率。
    2. 不间断电源(UPS):结合其良好的高温工作能力和抗浪涌能力,提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 设计电路时,考虑低寄生电感和良好接地布局以减少EMI干扰。
    - 在高功率应用中,确保适当的散热措施,如加装散热片。

    兼容性和支持


    K893支持与常见的驱动电路和外围设备无缝集成。厂商提供详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助客户快速部署和优化设计方案。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 驱动波形不稳定 | 检查驱动电路的RC滤波值,确保其满足参数要求。 |
    | 雪崩击穿过早发生 | 确认输入电容匹配,避免过大的输入电压尖峰。 |
    | 温度上升过快 | 使用导热硅脂加强散热,或增加外部散热片。 |

    总结和推荐


    VBsemi K893凭借其出色的电气特性和应用灵活性,在开关电源和高功率转换领域表现卓越。它的低门极电荷和高可靠性使其成为众多工业和消费电子应用的理想选择。推荐用户根据具体需求进行选型,并结合厂家技术支持实现最佳性能。
    推荐指数:★★★★★

K893-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K893-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K893-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K893-VB K893-VB数据手册

K893-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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