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UT3413G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: UT3413G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3413G-AE3-R-VB

UT3413G-AE3-R-VB概述

    # UT3413G-AE3-R P-Channel 20-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    UT3413G-AE3-R 是一款高性能的P通道20-V(漏极-源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET),采用SOT-23封装形式。它被广泛应用于负载开关、PA开关以及DC/DC转换器等领域,是高效率电源管理和控制电路的理想选择。
    主要功能
    - 高效率开关性能:具备低导通电阻(RDS(on)),在不同电压和电流条件下均表现出优异的导电能力。
    - 快速开关速度:具有较低的输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss),有助于实现高速开关操作。
    - 高可靠性设计:符合RoHS指令2002/95/EC,且不含卤素,适合环保要求较高的应用场景。

    技术参数


    以下是UT3413G-AE3-R的关键技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -20 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.035 | 0.043 | 0.061 | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID -5e | -4.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM -18 | A |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术:先进的沟槽式结构设计显著降低了导通电阻并提高了开关效率。
    - 全面测试:100% Rg 测试确保每颗芯片的质量稳定性。
    - 环保材料:满足IEC 61249-2-21定义的标准,无卤素、符合RoHS要求。
    市场竞争力
    UT3413G-AE3-R 在同类产品中表现出色,尤其适用于需要紧凑尺寸和高效能的应用场合,如便携式电子设备及工业控制模块。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关:用于电路保护和过载保护。
    - PA开关:作为射频放大器开关元件。
    - DC/DC转换器:提升电源转换效率。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,需考虑驱动电压范围(-10V至-2.5V)以优化开关特性。
    - 注意散热管理,尤其是在高功耗条件下,应增加外部散热措施以避免热失控。

    兼容性和支持


    兼容性
    UT3413G-AE3-R 可直接替换其他标准SOT-23封装的产品,无需更改PCB布局即可实现升级换代。
    支持服务
    VBsemi 提供全方位的技术支持与售后服务,包括样品申请、技术支持热线(400-655-8788)及线上文档资源下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电容 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量或更换新批次产品 |
    | 温度过高 | 加装散热片或改善通风条件 |

    总结和推荐


    UT3413G-AE3-R 是一款卓越的P通道MOSFET,凭借其优秀的导电性能、紧凑的设计以及广泛的适用性,在众多应用场景中展现出了强大的竞争力。强烈推荐给对高性能电子元器件有需求的工程师和技术人员。如果您正在寻找可靠且高效的开关解决方案,那么这款产品无疑是您的最佳选择之一。

UT3413G-AE3-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3413G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3413G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3413G-AE3-R-VB UT3413G-AE3-R-VB数据手册

UT3413G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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交货地:
最小起订量为:115
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