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IRL3715ZCSTRLP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IRL3715ZCSTRLP-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3715ZCSTRLP-VB

IRL3715ZCSTRLP-VB概述

    IRL3715ZCSTRLP-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:IRL3715ZCSTRLP-VB 是一种N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
    主要功能:该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有出色的开关性能和低导通电阻,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等多种应用场合。
    应用领域:适用于电源管理电路中的关键角色,如服务器电源管理、OR-ing电路及各种直流到直流转换器。

    2. 技术参数


    - 最大耐压(VDS):30V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 栅源漏电流(ID):10V栅极电压下,最大可达90A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在10V栅极电压下,0.012Ω
    - 在4.5V栅极电压下,0.018Ω
    - 热阻抗(RthJA):32°C/W(最大值)
    - 最大脉冲电流(IDM):210A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 最大源-漏二极管连续电流(IS):50A

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提高效率并降低导通损耗。
    - 全参数测试:确保每只产品都通过Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准:环保无铅设计,适合绿色电子产品。
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C至175°C,适应各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing电路:在多个电源之间切换,防止反向电流影响系统稳定性。
    - 服务器电源管理:为高电流需求提供可靠的电源管理方案。
    - DC/DC转换器:用于电压调节,以满足不同设备的需求。
    使用建议:
    - 考虑散热:由于最大功耗为120W(在25°C环境),使用时务必确保良好的散热条件,以避免过热导致失效。
    - 适当驱动:使用合适的驱动电压,例如10V栅极电压下的最佳表现。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:作为D2PAK封装,IRL3715ZCSTRLP-VB可以轻松焊接在标准FR4电路板上,方便集成到现有系统中。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术支持文档,帮助用户在选型、安装及调试过程中克服可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确选择驱动电压?
    - 解决方法:推荐使用10V驱动电压,以获得最低的导通电阻和最高的工作效率。
    - 问题2:长时间使用后的温度上升怎么办?
    - 解决方法:建议增加外部散热片或散热风扇,以提高散热效果,防止高温损坏器件。


    7. 总结和推荐


    总结:IRL3715ZCSTRLP-VB凭借其优秀的导通性能和宽泛的工作温度范围,在众多电力管理和电源转换应用中表现出色,是一款极具竞争力的产品。
    推荐:对于需要高性能、高可靠性的电源管理场合,IRL3715ZCSTRLP-VB是一个理想的选择。同时,其绿色环保的设计使其符合当今电子产品的发展趋势。

IRL3715ZCSTRLP-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3715ZCSTRLP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3715ZCSTRLP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3715ZCSTRLP-VB IRL3715ZCSTRLP-VB数据手册

IRL3715ZCSTRLP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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