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3N80L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 3N80L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N80L-TN3-R-VB

3N80L-TN3-R-VB概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道MOSFET(场效应晶体管),型号为3N80L-TN3-R。该MOSFET具备极低的栅极电荷和导通电阻,非常适合用于高效率开关电源和各类工业应用。主要功能包括低栅极电容、低输入电容、降低开关损耗和导通损耗等。它被广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它还适用于照明、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电、可再生能源以及太阳能光伏逆变器等多个行业。

    技术参数


    - 导通电阻(RDS(on)):在25℃时典型值为2.38Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为90nC
    - 栅源电荷(Qgs):典型值为11nC
    - 栅漏电荷(Qgd):典型值为19nC
    - 最大击穿电压(VDS):800V
    - 连续漏极电流(ID):在25℃时为2.8A,在100℃时为1.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):14mJ
    - 最大功耗(PD):62.5W
    - 最大存储和工作温度范围(TJ, Tstg):-55℃到+150℃
    - 反向恢复时间(trr):278ns至556ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):0.9μC至1.8μC

    产品特点和优势


    3N80L-TN3-R MOSFET具有多项显著特点和优势,使其在高效能电源转换应用中脱颖而出。首先,它具备极低的导通电阻(RDS(on)),仅为2.38Ω(VGS=10V),保证了高效率的电力传输。其次,其超低的栅极电荷(Qg)大大降低了开关损耗,从而提高了整体效率。此外,这款MOSFET在工业级应用中表现出色,如焊接、感应加热和电机驱动等领域。它的高可靠性也使得它成为各种高要求场合的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:在服务器电源系统中,3N80L-TN3-R可以有效地减少能量损失,提高电源系统的稳定性和可靠性。
    2. 工业应用:例如,在焊接、感应加热和电机驱动应用中,该MOSFET能够确保稳定的电流输出,提高生产效率。
    3. 照明应用:在高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡等照明应用中,它同样表现出卓越的性能。
    使用建议
    - 在焊接应用中,确保MOSFET的工作条件符合其绝对最大额定值,并通过优化散热来避免过热。
    - 在电机驱动应用中,应注意匹配适当的驱动电路,以确保MOSFET正常工作并避免损坏。
    - 对于照明应用,建议使用低电感电路布局,以减小寄生电感对系统的影响。

    兼容性和支持


    该MOSFET设计考虑到了与其他电子元器件的良好兼容性,适用于多种标准电路板布局。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括快速响应的技术支持团队和详细的使用手册,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后出现过热现象。
    - 解决方案:检查电路板的散热措施,确保良好的散热设计,并根据需要添加散热片。

    - 问题:在焊接过程中发生损坏。
    - 解决方案:严格按照焊接工艺参数进行操作,确保焊接温度不超过最大允许值。

    总结和推荐


    总体而言,3N80L-TN3-R是一款高效且可靠的N沟道MOSFET,适合广泛的应用领域。它具有出色的电气性能、耐用性和稳定性,是许多高性能电子设备的理想选择。我们强烈推荐使用该产品,特别是对于那些需要高效电源管理和高可靠性的应用场景。

3N80L-TN3-R-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

3N80L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N80L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N80L-TN3-R-VB 3N80L-TN3-R-VB数据手册

3N80L-TN3-R-VB封装设计

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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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