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K3479-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: K3479-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3479-Z-VB

K3479-Z-VB概述

    K3479-Z-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3479-Z-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET器件,额定电压为100V(漏极-源极),能够在最高达175°C的工作温度下稳定运行。其独特的TrenchFET®结构赋予了这款MOSFET低导通电阻和高电流处理能力,使其广泛适用于各种电力电子应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 (VDS) | 100 | V |
    | 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | 100 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM)| 300 | A |
    | 击穿电流 (IAS) | 75 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS)| 280 | mJ |
    | 最大功耗 (PD) | 250 | W |
    | 结到环境热阻 (RthJA)| 40 | °C/W |
    | 结到外壳热阻 (RthJC)| 0.6 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    K3479-Z-VB的主要特点如下:
    - 低导通电阻: 在VGS = 10V时,导通电阻仅为0.009Ω,这使得其在电力转换应用中具有优异的能效。
    - 高工作温度: 支持最高175°C的工作温度,适用于高温环境下的电力应用。
    - 符合RoHS标准: 严格遵循RoHS指令,确保环保安全。
    - 卓越的电气性能: 通过设计保证的关键电气参数(如最大击穿电流、单脉冲雪崩能量)确保在极端条件下的可靠性能。

    4. 应用案例和使用建议


    K3479-Z-VB 可以用于多种电力电子设备中,例如电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等。以下是具体的应用建议:
    - 开关电源设计: 在开关电源中,可以通过优化电路设计来减少发热,提高效率。
    - 电机驱动器: 选择合适的栅极驱动信号以控制电机转速,同时注意散热问题。
    - 温度敏感应用: 在高温环境下使用时,应优先考虑散热措施,以避免因过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K3479-Z-VB 与大多数标准的TO-220AB封装兼容,适用于各种电路板设计。
    - 支持和服务: VBsemi提供了全面的技术支持,包括产品选型指导、电路设计咨询及售后服务热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动信号,选择更小的栅极电阻以加快开关速度。 |
    | 过热现象 | 优化散热设计,增加散热片或改进散热路径。 |
    | 性能不稳 | 检查连接线缆和焊接点,确保良好的电气接触。 |

    7. 总结和推荐


    K3479-Z-VB N-Channel 100-V MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛的应用范围,是一款值得信赖的电力电子器件。对于需要高效、稳定和高性能电力转换的应用场合,我们强烈推荐使用K3479-Z-VB。此外,VBsemi公司提供的全方位技术支持和良好售后保障,进一步增强了其市场竞争力。

K3479-Z-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3479-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3479-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3479-Z-VB K3479-Z-VB数据手册

K3479-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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