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NTx18N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NTX18N06-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTx18N06-VB

NTx18N06-VB概述

    NTx18N06 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTx18N06 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率应用设计。它具备出色的开关性能和逻辑电平门驱动能力,适用于各种电源管理和电机控制等领域。该产品采用表面贴装技术(SMT),支持卷带式包装(Tape and Reel),符合无卤素、RoHS 标准,是一款环保且高性能的产品。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 门源电压(VGS):±10 V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):50 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大功耗(TC = 25°C):150 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):4.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 焊接推荐:峰值温度 300°C,持续时间 10 秒
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):在 VDS = 60 V 时,IDSS ≤ 25 μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时,RDS(on) ≤ 0.023 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):≤ 3000 pF
    - 输出电容(Coss):未提供具体数值
    - 门极电荷(Qg):66 nC
    - 开关延迟时间(td(on)):≤ 17 ns
    - 上升时间(tr):≤ 230 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):≤ 42 ns
    - 下降时间(tf):≤ 110 ns
    - 二极管特性
    - 持续源极-漏极二极管电流(IS):≤ 50 A
    - 脉冲二极管正向电流(ISM):≤ 200 A
    - 体二极管反向恢复时间(trr):130 ns 至 180 ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr):0.84 μC 至 1.3 μC

    产品特点和优势


    - 环保材料:符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),满足 RoHS 指令 2002/95/EC。
    - 逻辑电平门驱动:能够直接由微控制器驱动,降低系统复杂度。
    - 快速开关:优化的内部结构使开关速度显著提升,适用于高频电路。
    - 可靠性高:脉冲电流能力强,耐压等级高,适合于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:适用于直流到直流转换器、功率放大器等需要高效率开关的应用。
    - 电机控制:在电机驱动电路中,可以提高系统响应速度和效率。
    - 照明系统:适用于 LED 驱动电路,通过高效开关实现调光和节能。
    - 散热优化:为了确保最佳性能,在 PCB 设计上需注意减少杂散电感,增加接地平面,并选择低漏电感电流互感器。
    - 保护措施:根据负载情况调整门极电阻(Rg),避免过高的 dV/dt 引起的过电压。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多数常见的电子元器件和电路板兼容,能够灵活应用于多种应用场景。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,帮助客户解决常见问题并提供定制化服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时发热严重。
    - 解决办法:检查 PCB 布局,确保良好的散热路径,并考虑添加散热片。
    2. 问题:过流导致器件损坏。
    - 解决办法:合理设置门极电阻(Rg),并确保驱动电路稳定可靠。
    3. 问题:开关损耗高。
    - 解决办法:优化电路设计,选择合适的栅极电荷(Qg)和门极驱动电阻(Rg)。

    总结和推荐


    NTx18N06 N-Channel MOSFET 凭借其出色的性能参数、高效的开关特性和广泛的适用范围,成为电源管理和电机控制领域的理想选择。其环保材料和可靠的设计使其在多种工业和消费电子应用中具有较高的市场竞争力。建议在对开关速度和可靠性要求较高的应用中优先考虑此款产品。

NTx18N06-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTx18N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTx18N06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTx18N06-VB NTx18N06-VB数据手册

NTx18N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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