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4513M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4513M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4513M-VB

4513M-VB概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel 和 P-Channel MOSFET
    主要功能:
    - N-Channel 和 P-Channel MOSFET 具有不同的电压范围和电流能力,广泛应用于电机驱动和其他电力转换应用中。
    - 高效的低电阻特性使得这些器件非常适合用于功率管理。

    应用领域:
    - 电动工具和电池供电设备
    - 移动电源
    - 工业控制设备

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极-源极电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):
    - TC = 25°C 时:8A
    - TC = 70°C 时:6.8A
    - 脉冲漏极电流(10 µs脉冲宽度):40A
    - 单脉冲雪崩电流:10A(N-Channel),20A(P-Channel)
    - 单脉冲雪崩能量:5mJ(N-Channel),20mJ(P-Channel)
    - 电气特性:
    - 栅漏电容(Ciss):510pF(N-Channel),620pF(P-Channel)
    - 输出电容(Coss):95pF(N-Channel),115pF(P-Channel)
    - 反向转移电容(Crss):33pF(N-Channel),57pF(P-Channel)
    - 阈值电压(VGS(th)):-2.0V(P-Channel)
    - 温度系数(ΔVGS(th)/TJ):5mV/°C(P-Channel)

    产品特点和优势


    - 独特的功能:
    - 采用先进的TrenchFET®技术,具有非常低的导通电阻(RDS(on))。
    - 100% Rg和UIS测试,确保高可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS和无卤素标准,适用于环保要求严格的应用场合。
    - 优势:
    - 极高的开关速度和低功耗特性使其成为高性能应用的理想选择。
    - 由于采用了先进的制造工艺,因此这些器件具备出色的温度稳定性和可靠性。
    - 广泛应用于消费电子、工业自动化和移动设备等领域,展示了强大的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在电动工具中,这些MOSFET被用来提高电池寿命和效率。
    - 在电机驱动系统中,它们能够提供可靠的电流控制和过载保护。
    - 在移动电源应用中,它们可以有效地管理能量传输并降低功耗。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,建议进行适当的散热处理以保持器件的最佳性能。
    - 针对特定应用,需根据器件的最大额定值(如漏极-源极电压和连续漏极电流)来设计电路,避免过载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 这些器件采用SO-8封装,与其他标准SO-8封装的产品兼容,易于替换和升级。
    - 支持:
    - VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,器件过热。
    - 解决方案:使用适当的散热器和热管理措施,确保温度不超过绝对最大额定值。
    2. 问题:器件在高频率下无法正常工作。
    - 解决方案:考虑使用具有更低输入电容(Ciss)的型号,以提高开关速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该产品结合了高性能、高可靠性及成本效益等多重优势,适用于多种应用场景。
    - 特别是在需要高效、低损耗和紧凑设计的场合,这些N-Channel和P-Channel MOSFET表现出色。
    推荐使用:
    - 基于以上分析,强烈推荐使用该产品,特别是在需要高度可靠的电力管理和高效的电流控制的应用中。

4513M-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4513M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4513M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4513M-VB 4513M-VB数据手册

4513M-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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