处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFIZ34EPBF-VB

IRFIZ34EPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: IRFIZ34EPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIZ34EPBF-VB

IRFIZ34EPBF-VB概述

    N-Channel 60V (D-S) MOSFET IRFIZ34EPBF-VB 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:IRFIZ34EPBF-VB 是一款 N-通道 60V 漏极-源极 MOSFET。
    主要功能:
    - 适用于高电压隔离应用。
    - 支持低热阻和快速开关操作。
    - 具备出色的动态 dv/dt 额定值,适合高频率应用。
    应用领域:
    - 工业自动化
    - 电源管理
    - 驱动电机
    - 照明系统
    - 通信设备

    2. 技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDS):60 V
    - 门-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):45 A(Tc = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220 A(重复)
    - 最大结-环境热阻 (RthJA):- 65 °C/W
    - 结-外壳热阻 (RthJC):- 3.1 °C/W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):100 mJ
    - 最大功耗 (PD):52 W(Tc = 25 °C)
    - 结温范围 (Tj, Tstg):-55 至 +175 °C
    - 输入电容 (Ciss):- 1500 pF
    - 输出电容 (Coss):-
    - 反向传输电容 (Crss):-
    - 总栅极电荷 (Qg):- 9 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):27 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):46 nC
    - 关断延迟时间 (td(off)):-55 ns
    - 导通延迟时间 (td(on)):- 19 ns
    - 上升时间 (tr):- 120 ns
    - 下降时间 (tf):- 86 ns
    - 内部源极电感 (LS):- 7.5 nH
    - 内部漏极电感 (LD):- 4.5 nH
    - 体二极管雪崩能 (EAS):100 mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:4.5 V/ns

    3. 产品特点和优势


    - 高电压隔离:2.5 kVRMS 的高电压隔离确保在高电压应用中具有良好的安全性。
    - 低热阻:热阻低使得在高温环境下仍能保持良好的性能。
    - 快速开关特性:快速的开关时间和低栅极电荷使其适合高频应用。
    - 耐高温能力:高达 175 °C 的工作温度使其在恶劣环境中稳定运行。
    - 无铅设计:符合 RoHS 规范,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业自动化:用于工业自动化控制系统中的驱动器和传感器接口。
    - 电源管理:在开关电源中作为高效的开关器件。
    - 照明系统:在 LED 驱动电路中作为控制开关。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,应考虑 IRFIZ34EPBF-VB 的高电压隔离能力和快速开关特性。
    - 在设计电路时,应考虑到其较高的结温范围,确保电路的散热设计足够良好。
    - 对于高频应用,注意栅极电荷和上升时间的影响,优化驱动信号以获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与同类电子元器件和设备具有良好的兼容性。
    - 具有低热阻特性,可以与其他低热阻元件配合使用,实现更好的散热效果。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和技术支持。
    - 可通过官方服务热线获取技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致热损增加 | 减少开关频率,优化驱动电路。 |
    | 漏电流过大 | 检查电路连接是否正确,更换合适的驱动器。 |
    | 栅极驱动不稳定 | 确保栅极电阻适中,避免过高的dv/dt。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:IRFIZ34EPBF-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 MOSFET,具有出色的电气特性和稳定性。
    - 缺点:在高负载情况下,需要注意散热设计以防止热损增加。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高电压隔离、快速开关和高温运行的应用中使用此产品。特别是在工业自动化、电源管理和照明系统等领域,IRFIZ34EPBF-VB 将是一个理想的选择。

IRFIZ34EPBF-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIZ34EPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIZ34EPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIZ34EPBF-VB IRFIZ34EPBF-VB数据手册

IRFIZ34EPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504