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K1305-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1305-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1305-VB

K1305-VB概述

    K1305-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1305-VB 是一款 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET,属于全封闭封装类型,适用于高压环境下的各种应用场景。它具备高电压隔离能力、低热阻、动态开关特性等独特优势,广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等领域。

    技术参数


    K1305-VB 的技术规格如下:
    - 基本参数
    - 管壳温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:5.5 V/ns
    - 最大瞬态热阻抗:65 °C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量:720 mJ
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(VDS):100 V
    - 源漏导通电阻(RDS(on)):0.086 Ω(VGS = 10 V)
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):25 μA(VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 输入电容(Ciss):1700 pF
    - 输出电容(Coss):560 pF
    - 反向传输电容(Crss):120 pF
    - 总栅极电荷(Qg):2 nC(ID = 17 A)
    - 开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):11 ns
    - 上升时间(tr):44 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):-53 ns
    - 下降时间(tf):43 ns

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离:K1305-VB 具备高达 2.5 kVRMS 的隔离电压,适合于高压环境的应用。
    2. 低热阻:具有较低的热阻(RthJA),能够有效散热,确保长时间稳定运行。
    3. 动态 dV/dt 控制:能够处理高瞬态电压变化,适用于高速开关场景。
    4. 环保材料:提供无铅版本,符合 RoHS 和无卤素标准。

    应用案例和使用建议


    K1305-VB 主要应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器等领域。例如,在一个三相电机驱动系统中,K1305-VB 作为主控开关,可以有效地实现电机的启动和停止控制。建议在设计电路时,尽量减少引线的寄生电感,以提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    K1305-VB 与其他常见的电子元器件如 IGBT、其他类型的 MOSFET 具有良好的兼容性,可轻松集成到现有系统中。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、现场技术支持和长期维护保障。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测试器件的漏电流?
    - 解决方案:使用万用表或专用漏电流测试仪,在器件的 VDS 设置为 100 V,VGS 为 0 V 的条件下进行测量。
    2. 问题:如何计算栅极电荷?
    - 解决方案:根据图 6 和图 13b 中的数据,利用总栅极电荷 Qg 进行计算。典型值为 2 nC。

    总结和推荐


    K1305-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 在技术参数和应用性能方面表现优异,特别是在高压隔离、低热阻和动态开关特性方面具备明显优势。推荐在需要高性能和高可靠性的场合下使用,如工业自动化、电力电子设备等。此外,厂商提供的良好技术支持和售后服务也是选择此产品的有力保证。

K1305-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1305-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1305-VB数据手册

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K1305-VB封装设计

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