处理中...

首页  >  产品百科  >  2SJ598-Z-E1-AZ-VB

2SJ598-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: 2SJ598-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ598-Z-E1-AZ-VB

2SJ598-Z-E1-AZ-VB概述

    P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 60V (D-S) MOSFET(型号:2SJ598-Z-E1-AZ)是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于电源转换和控制领域。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流处理能力和卓越的热性能。适用于高压侧开关、全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换器等场合。

    2. 技术参数


    以下是P-Channel 60V MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | -1 | - | -3 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | -25 | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | - | - | -100 | A |
    | 额定功率耗散 | PD | - | - | 38.5 | W |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 17 | - | 21 | °C/W |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | 2.7 | - | 3.25 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 绿色环保:符合RoHS指令,无卤素。
    - 高可靠性:所有器件经过UIS测试,确保质量和稳定性。
    - 高效能:低导通电阻RDS(on)仅为0.053Ω(VGS=-10V时),提供更高的效率和更低的功耗。
    - 快速响应:低输入电容、输出电容和反向传输电容,保证快速的开关响应。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:本产品常用于高侧开关电路中的全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换器。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议使用1"方形PCB(FR-4材料)进行安装,并注意额定工作温度不超过150°C。此外,在设计电路时,需要考虑合适的栅极电阻来优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他标准的TO-251封装的电子元件兼容。
    - 支持信息:制造商提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务。客户可以通过服务热线400-655-8788获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 额定功率耗散如何影响产品的寿命?
    - A: 高温会导致功率耗散增加,从而缩短产品寿命。建议通过有效的散热设计降低结温,如增加散热片或使用更好的PCB布局。
    - Q: 如何优化栅极驱动以提高开关速度?
    - A: 可以通过选择合适的栅极电阻和降低栅极驱动电压来减少延迟时间和上升时间。具体设置可以根据应用需求调整。

    7. 总结和推荐


    总体而言,P-Channel 60V MOSFET(型号:2SJ598-Z-E1-AZ)凭借其卓越的性能和广泛的适用性,在电源管理和控制系统中表现出色。其出色的电气特性和可靠的工作环境使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐此产品用于高压侧开关、全桥转换器及LCD显示器等电路中。

2SJ598-Z-E1-AZ-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 38A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ598-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ598-Z-E1-AZ-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ598-Z-E1-AZ-VB 2SJ598-Z-E1-AZ-VB数据手册

2SJ598-Z-E1-AZ-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0