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IPP12CN10L G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: IPP12CN10L G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP12CN10L G-VB

IPP12CN10L G-VB概述

    IPP12CN10L G-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPP12CN10L G-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 100-V 沟槽式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于各种电力转换系统、电源管理和工业控制等领域。IPP12CN10L G-VB 在高温环境下表现出色,其最高结温可达 175°C,这使得它非常适合于恶劣的工业环境和高热应力的应用场合。

    2. 技术参数


    IPP12CN10L G-VB 的技术参数如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TC):
    - TJ = 150°C:100 A
    - TJ = 25°C:75 A
    - TJ = 125°C:25 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IL): 75 A
    - 雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - PCB 安装(TO-263):250 W
    - 空气(TO-220AB):250 W
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - PCB 安装(TO-263)结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 自由空气(TO-220AB)结到环境热阻 (RthJA): 62.5 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    3. 产品特点和优势


    IPP12CN10L G-VB 的主要特点包括:
    - 高可靠性:通过了 RoHS 指令认证,确保无铅化环保。
    - 宽温度范围:最大结温达 175°C,适合高温环境。
    - 高性能:出色的雪崩电流能力和低漏源电阻 (RDS(on))。
    - 兼容性:符合行业标准的 TO-220AB 封装,易于安装和集成。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP12CN10L G-VB 主要用于以下几个方面:
    - 电源管理:适用于开关电源、逆变器和电池充电器。
    - 电机控制:用于驱动电动机和其他感性负载。
    - 工业自动化:适合各种工业控制系统中的电机控制和电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 在选择栅源电压时,建议使用 10 V 以获得更低的漏源电阻。

    5. 兼容性和支持


    IPP12CN10L G-VB 与主流的电源管理芯片和控制器具有良好的兼容性,适用于大多数工业控制和电源管理系统。VBsemi 公司提供详尽的技术支持,包括安装指南、应用笔记和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:产品在高温环境下出现过热现象。
    - 解决办法:优化散热设计,增加散热片或使用风扇辅助散热。
    - 问题二:栅源电压不稳定导致 MOSFET 工作异常。
    - 解决办法:检查栅源电压电路设计,确保电压稳定,建议使用稳压器。

    7. 总结和推荐


    IPP12CN10L G-VB 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,适用于多种高可靠性要求的应用场合。它的宽温度范围、高可靠性以及出色的电气特性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要在高温环境下稳定工作的应用场合,我们强烈推荐使用此产品。更多详细信息,请联系 VBsemi 的客户服务热线:400-655-8788。

IPP12CN10L G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP12CN10L G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP12CN10L G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP12CN10L G-VB IPP12CN10L G-VB数据手册

IPP12CN10L G-VB封装设计

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