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K40A08K3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K40A08K3-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40A08K3-VB

K40A08K3-VB概述

    高质量文章:电子元器件技术手册解析

    一、产品简介


    本篇技术手册介绍的是VBsemi公司生产的K40A08K3-VB N-Channel 650V(D-S)功率MOSFET。作为一款高性能功率半导体器件,它被广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。这款MOSFET的主要功能是通过低导通电阻(RDS(on))和高耐压(VDS = 650V)来实现高效的电能转换和控制,具有显著的节能效果和可靠性提升。

    二、技术参数


    以下是K40A08K3-VB的技术参数表,清晰列出了产品的核心规格和性能指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.5 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 48 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 12 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 19 | - | nC |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | - | 65 | - | °C/W |
    其他重要参数还包括连续漏极电流(ID = 3.8 A)、脉冲漏极电流(IDM = 18 A)、单次脉冲雪崩能量(EAS = 325 mJ)以及最高工作温度范围(TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C)。

    三、产品特点和优势


    K40A08K3-VB的优势体现在以下几个方面:
    1. 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg = 48 nC)减少了驱动电路的需求,降低了功耗并提高了效率。
    2. 增强的耐用性:具有改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,适用于高应力应用。
    3. 完全测试认证:包含电容、雪崩电压和电流的全面参数化测试。
    4. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC标准,环保且可持续。

    四、应用案例和使用建议


    K40A08K3-VB在多种应用中表现出色,例如:
    - 高频开关电源:因其快速开关速度和低损耗特性,适合用于高频功率转换器。
    - 电机驱动系统:提供高电流能力和耐用性,适用于工业电机控制。
    - 逆变器设计:能够在高电压环境下稳定运行,为光伏逆变器和储能系统提供支持。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,需关注散热设计,确保温度不超过150°C。
    - 结合驱动电路优化参数设置,减少开关损耗。

    五、兼容性和支持


    K40A08K3-VB采用TO-220 FULLPAK封装,便于安装和散热管理。产品与其他主流设备和组件具有良好的兼容性,VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务。

    六、常见问题与解决方案


    以下是可能遇到的一些问题及其解决方案:
    1. 过热保护问题
    解决方法:增加散热片或风扇辅助降温。
    2. 漏电流过高
    解决方法:检查栅极电路连接并调整驱动信号强度。
    3. 损坏后无法正常工作
    解决方法:确认电路设计是否满足最大允许参数限制。

    七、总结和推荐


    综合评估,K40A08K3-VB是一款高效、可靠且易于集成的功率MOSFET产品。其低导通电阻、高耐压特性和增强的鲁棒性使其成为多种应用的理想选择。推荐用于需要高性能和高可靠性的场景中。
    如果您正在寻找能够简化驱动电路并提高效率的功率半导体器件,那么K40A08K3-VB无疑是值得考虑的产品。联系VBsemi服务热线(400-655-8788)或访问官方网站(www.VBsemi.com)获取更多技术支持和服务信息。

K40A08K3-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40A08K3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40A08K3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40A08K3-VB K40A08K3-VB数据手册

K40A08K3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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