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2SJ602-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),60mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 2SJ602-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ602-Z-VB

2SJ602-Z-VB概述

    2SJ602-Z-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    2SJ602-Z-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.推出的高性能P通道60V(漏极-源极)功率MOSFET器件。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有出色的低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。其主要功能包括用作电源开关和大电流负载开关,在DC/DC转换器等高电流应用场合中表现出色。
    产品主要特性:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)):典型值为0.048Ω(VGS=-10V时),适用于高效能电源管理;
    - 完全符合RoHS指令2002/95/EC,且无卤素设计;
    - 超过100%的栅极电阻(Rg)和雪崩能量测试,确保高可靠性;
    - 适用于多种工业领域,如功率转换、负载开关和开关稳压器。

    2. 技术参数


    以下为2SJ602-Z-VB的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | -60 | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -2.0 | 3.0 | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | -1.0 | mA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | - | - | -30 | A |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 0.048 | - | 0.056 | Ω(VGS=-10V,ID=-14A) |
    | 输入电容 | Ciss | 20 | - | 65 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 330 | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 280 | pF |
    | 最大连续漏极电流(TJ=150℃) | ID | - | - | 45 | A |
    | 工作温度范围 | Tstg | -55 | - | 150 | ℃ |
    备注:绝对最大额定值如下:
    - 漏极-源极电压(VDS):-60V;
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V;
    - 最大功耗(PD):41.7W(TA=25℃时)。

    3. 产品特点和优势


    2SJ602-Z-VB 的核心优势在于其卓越的导电效率和高度的可靠性。具体特点如下:
    1. 低导通电阻:典型值仅为0.048Ω(VGS=-10V,ID=-14A),能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
    2. 高雪崩耐受能力:具有出色的抗浪涌性能,可在短时间承受高瞬态电流。
    3. 绿色设计:符合RoHS标准,无卤素材料,适合环保要求较高的应用场景。
    4. 宽广的工作温度范围:可适应-55℃至+150℃的极端环境。
    这些特性使其成为高功率开关应用的理想选择,尤其在工业自动化、电机驱动及通信设备等领域展现出强大的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源开关:用于驱动电机、LED照明或直流负载的开关控制;
    - DC/DC转换器:适合作为同步整流器或主控开关管;
    - 负载开关:处理高电流负载的切换操作。
    使用建议:
    - 确保栅极驱动电压满足最小阈值电压要求(如VGS≥-2V),以避免误触发;
    - 在高温环境下使用时,需考虑散热设计以维持器件正常运行;
    - 根据SOA曲线调整工作电压和电流,确保不超出安全区域限制。

    5. 兼容性和支持


    2SJ602-Z-VB 可广泛兼容其他主流MOSFET器件,与现有电路板布局兼容性强。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括免费样品申请、专业工程师咨询和技术文档下载等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:设备工作时频繁出现过热现象?
    - 解决方案:检查电路板散热设计是否合理,适当增加散热片或降低环境温度。
    问题2:器件在某些条件下发生损坏?
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否超过额定范围,避免长时间超负荷工作。
    问题3:无法获得稳定的导通状态?
    - 解决方案:确认栅极驱动电压是否正确设置,调整VGS至最佳工作点。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SJ602-Z-VB凭借其优异的性能指标、可靠的设计以及广泛的应用范围,是一款值得推荐的P通道MOSFET产品。它在高效能电源管理和高功率开关领域的表现尤为突出,非常适合需要低功耗和高稳定性的应用场景。
    推荐指数:★★★★☆(四颗星)
    如果您正在寻找一款兼具性价比和性能优势的P通道MOSFET器件,2SJ602-Z-VB无疑是一个明智的选择!

2SJ602-Z-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SJ602-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ602-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ602-Z-VB 2SJ602-Z-VB数据手册

2SJ602-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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