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UD3010-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UD3010-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD3010-VB

UD3010-VB概述


    产品简介


    UD3010 是一款高性能的 N 沟道增强型 30V(漏-源)功率 MOSFET,采用 VBsemi 的先进 TrenchFET 技术制造。这款器件专为高效率、低损耗的开关应用而设计,具备卓越的导通电阻(RDS(on))和快速开关性能。其主要功能包括高可靠性、低温升、快速恢复时间等,广泛应用于服务器电源管理、DC/DC 转换器以及 OR-ing 应用中。

    技术参数


    以下为 UD3010 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏-源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 门-源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.007 Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) 0.009 Ω |
    | 电荷门总充电量 | Qg | 25 | 35 nC |
    | 门电荷(Qgs) 15 nC |
    | 门电荷(Qgd) 20 nC |
    | 阈值电压温度系数 | ΔVGS(th)/TJ -7.5 mV/°C |
    | 击穿电压温度系数 | ΔVDS/TJ 35 mV/°C |
    | 最大连续漏极电流 | ID 90 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 200 A |
    | 工作环境温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,降低导通电阻,提升效率。
    2. RoHS 合规:完全符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU,环保友好。
    3. UIS 测试:100% 测试短路能力(UIS),确保高可靠性。
    4. 超低导通电阻:典型值为 0.007Ω(VGS=10V),适合高效开关应用。
    5. 快速开关性能:适用于高频开关场景,减少功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源管理:用于服务器电源的主控 MOSFET,提供高效、稳定的电流控制。
    - DC/DC 转换器:作为主控开关管,实现高效的电压转换。
    - OR-ing 应用:实现冗余电源切换,提高系统可靠性。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意散热设计,建议搭配良好的热管理系统以保证长期稳定性。
    - 设计电路时需注意寄生电容对开关速度的影响,合理调整门极电阻(Rg)以优化开关性能。

    兼容性和支持


    UD3010 采用标准 TO-252 封装,易于焊接和集成到各种 PCB 设计中。该器件与市场上主流的 DPAK 封装兼容,支持表面贴装。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的参考设计和现场工程师服务,帮助客户快速部署产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过大 | 优化门极驱动电阻(Rg),减少开关时间延迟。|
    | 热管理困难 | 加强散热片设计,使用热阻更低的封装形式。 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保门极驱动电压达到额定值(≥10V)。 |

    总结和推荐


    UD3010 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合于高频、高效率的开关电源设计。其低导通电阻和快速开关特性使其在服务器电源、DC/DC 转换器等领域具有显著优势。此外,罗氏指令合规性和全面的支持服务进一步提升了产品的市场竞争力。因此,我们强烈推荐 UD3010 作为高效开关电源设计的理想选择。
    如果您对 UD3010 或其他相关产品有任何疑问,欢迎拨打我们的服务热线:400-655-8788,我们的技术支持团队随时为您提供帮助!

UD3010-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD3010-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD3010-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD3010-VB UD3010-VB数据手册

UD3010-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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