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IPB60R190C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IPB60R190C6-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB60R190C6-VB

IPB60R190C6-VB概述


    产品简介


    IPB60R190C6 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 650V超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有多种关键特性和广泛的应用范围。它主要用于电源转换系统,包括电信、照明、消费电子和工业控制等领域。其高效率和低功耗使其成为高性能电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    以下是一些关键的技术规格和性能参数:
    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 20 A
    - TC = 100°C: 13 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 60 A
    - 最大功率耗散 (PD): 208 W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C to +150°C
    - 关键动态特性:
    - 有效输出电容 (Co(er)): 84 pF
    - 有效输出电容 (Co(tr)): 293 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 71-106 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 14 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33 nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 22-44 ns
    - 上升时间 (tr): 34-68 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 68-102 ns
    - 下降时间 (tf): 42-84 ns

    产品特点和优势


    - 降低反向恢复时间和损耗: 该器件具有低的反向恢复时间 (trr) 和恢复电荷 (Qrr),从而减少能量损耗。
    - 高开关性能: 超低的总栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss),减少了开关损耗。
    - 优秀的散热性能: 具有较低的热阻 (RthJA: 62°C/W, RthJC: 0.5°C/W),便于安装和散热。
    - 高可靠性: 能够承受高达367 mJ的单脉冲雪崩能量 (EAS),保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信设备: 服务器和电信电源供应
    - 照明系统: 高强度放电 (HID) 照明和荧光灯管驱动
    - 消费和计算设备: ATX电源供应
    - 工业应用: 焊接和电池充电器
    - 可再生能源: 太阳能逆变器
    - 开关模式电源供应 (SMPS)
    使用建议:
    - 在使用该MOSFET时,应注意工作环境温度,避免过热。
    - 确保适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 在设计电路时,考虑其低输入电容和栅极电荷的特性,以提高整体系统的开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件与其他标准电源管理电路兼容,适合用于现有的电信和工业应用。
    - 技术支持: VBsemi提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方案: 检查散热装置是否正常工作,并增加散热片以提高散热效率。

    2. 问题: 开关损耗高
    - 解决方案: 确认电路设计中的开关频率和驱动电路配置,尝试优化栅极电阻 (Rg) 以减小开关损耗。

    3. 问题: 反向恢复问题
    - 解决方案: 调整电路中的缓冲电路或使用更稳定的驱动电路以减少反向恢复问题。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高效能和低功耗特性
    - 广泛适用性
    - 强大的耐压和雪崩能量处理能力
    - 缺点:
    - 需要谨慎设计散热系统以应对高功率损耗
    推荐:
    IPB60R190C6 MOSFET是一款适用于多种工业和消费电子应用的高效能器件。其卓越的电气特性和广泛的适用范围使其成为电源管理领域的优秀选择。我们强烈推荐使用此产品,尤其是对于需要高可靠性和高性能的系统。
    服务热线: 400-655-8788

IPB60R190C6-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB60R190C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB60R190C6-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB60R190C6-VB IPB60R190C6-VB数据手册

IPB60R190C6-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
800+ ¥ 9.5015
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起订量: 10 增量: 800
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型号 价格(含增值税)
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