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IPB147N03L G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IPB147N03L G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB147N03L G-VB

IPB147N03L G-VB概述

    IPB147N03L G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IPB147N03L G-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道功率MOSFET,适用于多种应用领域,如电源管理、服务器电源、DC/DC转换器等。这种MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,能够提供低导通电阻和高可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源电压 | VGS 10 | 20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=175°C) | ID | 25°C | 46 | 70°C | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 210 | A |
    | 电源耗散(TJ=25°C) | PD 120 | 70°C | W |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 10V | 0.012 Ω |
    | 输入电容 | CISS | 1201 pF |
    | 输出电容 | COSS | 255 pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 170 pF |

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用TrenchFET技术,具有低导通电阻和高可靠性。
    2. 稳定性:通过了100% Rg和UIS测试,确保在各种条件下的稳定性能。
    3. 环保:符合RoHS标准,无有害物质。
    4. 适应性强:适用于各种高压应用环境,如服务器电源和DC/DC转换器。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing电路:可用于冗余电源系统中的负载共享。
    - 服务器电源:适合于高可靠性要求的服务器系统。
    - DC/DC转换器:适用于电源转换模块。
    使用建议:
    - 在使用时应确保工作温度在-55°C到175°C范围内,以避免过热损坏。
    - 为防止电击穿,注意栅源电压不应超过±20V。
    - 在高频开关应用中,应注意门极电荷Qg对开关速度的影响,建议使用合适的驱动电路来提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB147N03L G-VB MOSFET可以与其他标准D2PAK封装的器件进行互换,广泛应用于各类电路设计。
    - 支持和服务:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括电话技术支持(400-655-8788)和在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何避免电击穿?
    - A:确保栅源电压不超过±20V,同时采用合适的保护电路以防止意外电击穿。

    2. Q:在高温环境下工作会影响器件寿命吗?
    - A:虽然该器件能在-55°C到175°C范围内正常工作,但长期处于高温环境下可能影响可靠性。建议采取散热措施以延长使用寿命。

    总结和推荐


    IPB147N03L G-VB 是一款高性能、可靠且易于使用的N沟道功率MOSFET。它具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能,适用于多种高压应用环境。其优越的性能使其成为电源管理和服务器电源的理想选择。因此,强烈推荐在需要高可靠性、低功耗的应用中使用该产品。

IPB147N03L G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB147N03L G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB147N03L G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB147N03L G-VB IPB147N03L G-VB数据手册

IPB147N03L G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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