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UTT18P10L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT18P10L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT18P10L-TN3-R-VB

UTT18P10L-TN3-R-VB概述

    UTT18P10L-TN3-R P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT18P10L-TN3-R 是一款高性能的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),适用于多种电子设备中的电源管理和控制。其典型应用包括电源开关和DC/DC转换器。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术,具有出色的导电性和可靠性,满足RoHS和卤素无害化标准。

    技术参数


    - 额定电压:100V (D-S)
    - 最大连续漏极电流:-16A(TJ = 150°C)
    - 最大脉冲漏极电流:-50A
    - 最大雪崩电流:-18A
    - 单次雪崩能量:16.2mJ
    - 最大功耗:32.1W(TJ = 25°C)
    - 热阻:RthJA = 50°C/W
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻(RDS(on)),提高效率。
    - 零故障率:100% Rg和UIS测试通过,确保高可靠性。
    - RoHS和卤素无害化:符合环保要求,适用于广泛的工业和消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    - 电源开关:适用于高能效的开关电源,如直流电源适配器和充电器。
    - DC/DC转换器:可以提高DC/DC转换器的效率,减少发热。
    - 使用建议:为获得最佳性能,在使用过程中应注意散热管理,避免长时间在高温环境下工作。

    兼容性和支持


    - 封装类型:TO-252封装,便于焊接和安装。
    - 厂商支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,客户可以通过官方热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温下出现性能下降。
    - 解决方案:改善散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题2:漏电流过高。
    - 解决方案:检查电路连接和参数设置,确保正确使用MOSFET。
    - 问题3:器件过热。
    - 解决方案:使用散热片或其他冷却装置,保持适当的环境温度。

    总结和推荐


    UTT18P10L-TN3-R P-Channel 100V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适用于多种电源管理应用。其先进的TrenchFET®技术和卓越的电气性能使其成为理想的替代选择。尽管需要注意一定的散热问题,但总体上,它是一款值得推荐的产品。对于需要高能效和稳定性的电源设计,这款MOSFET无疑是一个优秀的解决方案。

UTT18P10L-TN3-R-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 15A
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@10V,144mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT18P10L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT18P10L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT18P10L-TN3-R-VB UTT18P10L-TN3-R-VB数据手册

UTT18P10L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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