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F842-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 14M-F842-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F842-VB

F842-VB概述

    # F842-VB 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    F842-VB 是一款适用于多种电力应用场合的N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。它具有低栅极电荷和改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,使其成为各种电力电子应用的理想选择。该产品采用TO-220AB封装,适合用于开关电源、马达驱动、逆变器等工业和消费电子产品。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏源电压 | VDS | 500 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.660 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 81 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 20 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 36 nC |
    | 最大功率耗散 | PD 250 W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 560 mJ |
    | 雪崩电流 | IAR 13 A |
    | 复现雪崩能量 | EAR 25 mJ |
    | 峰值二极管恢复dv/dt | dV/dt 9.2 V/ns |
    | 连续工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:降低驱动要求,简化电路设计。
    - 增强的鲁棒性:具备优越的栅极、雪崩和动态dv/dt抗性。
    - 完全特性化:栅极电容和雪崩电压已完全测试。
    - 环保标准合规:符合RoHS 2002/95/EC指令。
    - 高效能:出色的静态和动态特性确保高性能表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    F842-VB 在许多工业应用中展现出色的表现,例如开关电源、电机驱动和逆变器。特别是在高效率要求的应用场景中,如数据中心和电信设备的电源供应系统,它可以有效地提升系统效率并减少损耗。
    使用建议
    - 电路布局:为了最大限度减少寄生电感,建议采用低泄漏电感布局,并配置接地平面。
    - 热管理:建议使用散热器,并确保在高温环境下有效散热以维持设备性能。
    - 驱动电路:使用相同的驱动器类型进行测试,以确保可靠的操作。

    兼容性和支持


    F842-VB 与大多数通用的驱动电路兼容。制造商提供详细的技术支持和维护服务,包括但不限于在线文档、客户技术支持和产品升级信息。如果需要更多的帮助,可以通过客服热线400-655-8788联系制造商。

    常见问题与解决方案


    问题一:启动温度过高
    解决方案:检查是否超过最大结温限制(55°C至150°C之间),并根据手册图11调整脉冲宽度和占空比。
    问题二:峰值二极管恢复dv/dt超出
    解决方案:检查输入波形是否符合规定,并确保正确的栅极电阻(Rg)设置以控制dv/dt。
    问题三:无法达到预期的栅极电荷
    解决方案:确认所有测试条件,如栅源电压、漏源电压和测试频率,确保它们符合规格表的要求。

    总结和推荐


    F842-VB 的N-沟道MOSFET产品在技术参数、稳定性和可靠性方面均表现出色,特别适用于需要高效率和高鲁棒性的应用场合。结合其优秀的性能和广泛的应用场景,我们强烈推荐此产品给寻求高性能电力解决方案的设计工程师。

F842-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
配置 -
Id-连续漏极电流 13A
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F842-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F842-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F842-VB F842-VB数据手册

F842-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.6289
10+ ¥ 5.2978
30+ ¥ 4.7282
100+ ¥ 3.5429
1000+ ¥ 3.4104
3000+ ¥ 3.3111
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