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30N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 30N03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 30N03L-VB

30N03L-VB概述

    # 30N03L-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    30N03L-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 30V(D-S)功率 MOSFET。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有高可靠性、低导通电阻和优秀的热稳定性。此产品广泛应用于服务器电源管理、直流/交流转换、并联开关等领域。
    主要功能
    - 作为电子电路中的开关元件,用于管理和控制电流流动。
    - 可应用于各种高效率的电源系统中,确保稳定的电压输出。
    - 在并联开关应用中,如 OR-ing 应用,用于提高系统的可靠性和效率。
    应用领域
    - 服务器电源管理系统
    - 直流/交流转换器
    - 并联开关电路
    - 数据中心及电信设备

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 2.5V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时: 0.003Ω
    - VGS = 4.5V 时: 0.004Ω
    - 连续漏极电流 (ID): 120A (TJ = 175°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 64.8V
    - 最大功率耗散 (PD): 250W (TC = 25°C)
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 31pF
    - 输出电容 (Coss): 725pF
    - 反向转移电容 (Crss): 370pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 171~257nC
    - 栅极到漏极电荷 (Qgd): 29nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 18~27ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 70~105ns
    - 反向恢复时间 (trr): 52~78ns

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试确保其高可靠性。
    - 低导通电阻: 优秀的 RDS(on) 特性确保高效能量传输。
    - 热稳定性: 高质量材料和设计使得其能够在高温环境下稳定运行。
    - 环境友好: 符合欧盟 RoHS 指令,无铅、无卤素。
    市场竞争力
    - 高效节能: 适用于高性能电源系统,减少能耗。
    - 易集成: 小巧的封装使其易于集成到现有系统中。
    - 长寿命: 长期稳定性保证其在严苛环境下的使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理系统: 作为开关元件管理电源输出,确保系统的稳定性。
    - 直流/交流转换器: 高效地进行电压转换,满足不同负载需求。
    - 并联开关电路: 提高系统的可靠性和效率,降低故障率。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热措施,以维持其在高温下的稳定性。
    - 驱动电路设计: 设计合理的驱动电路,避免过高的栅极电压导致损坏。
    - 系统测试: 进行全面的系统测试,确保其在实际应用中的性能符合预期。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该 MOSFET 可与各种电子元件和设备兼容,适用于多种应用场合。
    - 与现有的 PCB 板设计兼容,可直接替换传统 MOSFET。
    厂商支持
    - VBsemi 提供详细的技术文档和客户服务支持。
    - 提供免费的技术咨询和支持,帮助用户解决应用中的技术难题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - Q1: MOSFET 发热严重怎么办?
    - A1: 检查散热措施,确保 MOSFET 工作在合适的温度范围内。增加散热片或风扇以增强散热效果。

    - Q2: MOSFET 寿命短怎么办?
    - A2: 检查驱动电路的设计,确保正确的驱动电压和电流。避免长时间过载工作,定期检查并更换老化的部件。
    - Q3: MOSFET 在低温环境下性能下降怎么办?
    - A3: 检查散热措施,确保 MOSFET 不会因低温而冻结。使用加热设备保持其在正常工作温度范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    30N03L-VB MOSFET 具有出色的性能和可靠性,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻和高热稳定性使其成为高效能电源系统中的理想选择。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,进一步提升了其市场竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐在服务器电源管理系统、直流/交流转换器和其他高效率电源应用中使用 30N03L-VB MOSFET。其卓越的性能和可靠性将为您的系统带来显著的优势。

30N03L-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

30N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

30N03L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 30N03L-VB 30N03L-VB数据手册

30N03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.0997
100+ ¥ 1.9441
500+ ¥ 1.8663
1000+ ¥ 1.7886
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起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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