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BUK551-60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: BUK551-60B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK551-60B-VB

BUK551-60B-VB概述

    BUK551-60B-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    BUK551-60B-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有60V的漏源电压额定值。这款电子元器件主要用于电源管理、电机控制、电池充电器及各种开关应用中。其核心特点在于动态 dv/dt 额定值、快速开关能力和并联简易性,这使得它在高压开关应用中表现优异。

    技术参数


    以下是BUK551-60B-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): ≤25 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.072 Ω (在 VGS=10V, ID=10A 下)
    - 输入电容 (Ciss): 最大 640 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大 360 pF
    - 反向传输电容 (Crss): -79 pF
    - 最大峰值二极管恢复 dv/dt: 4.5 V/ns
    - 最大脉冲二极管正向电流 (ISM): 68 A
    - 热阻抗 (RthJA): 最大 62°C/W

    产品特点和优势


    1. 快速开关能力: BUK551-60B-VB 能够实现快速的开关操作,减少开关损耗。
    2. 并联简易性: 便于多个单元的并联连接,从而增加电流处理能力。
    3. 简单的驱动要求: 降低了外部驱动电路的设计复杂度,便于集成。
    4. 高可靠性: 动态 dv/dt 额定值和高反向传输电容确保了在极端条件下依然可靠。

    应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。例如,在一个典型的开关电源设计中,BUK551-60B-VB 可用于主开关,由于其高开关速度,能够显著提升系统的整体效率。对于用户来说,建议考虑以下几点以优化应用:
    - 确保驱动电路匹配以充分利用其快速开关性能。
    - 在设计散热系统时,注意 RthJA 和 RthCS 的热阻值,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    BUK551-60B-VB 设计时考虑了广泛的兼容性,适用于大多数标准的 PCB 布局和电源设计。VBsemi 提供了详尽的技术支持,包括在线文档、客户支持热线(400-655-8788)以及定期的产品更新和技术改进。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确选择合适的栅源电压以达到最佳性能?
    A: 通常,栅源电压应设置为略高于阈值电压,以确保 MOSFET 完全导通。一般推荐的栅源电压为 10V,但对于某些应用可能需要更高的电压。

    - Q: 在高温环境下,如何保证 MOSFET 的正常运行?
    A: 在高温环境中使用时,应注意散热设计,确保温度不超过最大允许的工作温度范围(-55°C 至 175°C)。

    总结和推荐


    总的来说,BUK551-60B-VB 是一款非常高效且可靠的 N-Channel MOSFET。其出色的快速开关性能、简易的并联连接能力和简单的需求驱动使其在多种高压开关应用中具有很高的市场竞争力。因此,强烈推荐将此产品用于对效率和可靠性有较高要求的应用场合。

BUK551-60B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 25A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

BUK551-60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK551-60B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK551-60B-VB BUK551-60B-VB数据手册

BUK551-60B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
1000+ ¥ 1.4077
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