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UT5504L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: UT5504L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT5504L-TN3-T-VB

UT5504L-TN3-T-VB概述

    UT5504L-TN3-T P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT5504L-TN3-T 是一种高效率的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),采用TO-252封装形式。它具有低热阻特性和优秀的性能参数,适用于各种电力转换和控制电路中。这种器件特别适合于电池管理系统、电源转换器和其他需要高效能开关控制的应用场合。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -40V
    - 通态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10 \text{V} \) 下为 0.012Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5 \text{V} \) 下为 0.015Ω
    - 持续漏极电流 \( ID \): -50A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): -40A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 80mJ
    - 最大功耗 \( PD \):
    - 当 \( TA = 25°C \) 时为 136W
    - 当 \( TA = 125°C \) 时为 45W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -40V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - 在 \( TC = 25°C \) 时为 -50A
    - 在 \( TC = 125°C \) 时为 -39A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -200A
    - 热阻率
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 50°C/W
    - 结到外壳(漏极)热阻 \( R{thJC} \): 1.1°C/W

    产品特点和优势


    UT5504L-TN3-T MOSFET 具有以下特点和优势:
    - 低热阻特性:结到环境热阻仅为50°C/W,可有效散热,提高长期稳定性和可靠性。
    - 高击穿电压:最大漏源电压为-40V,适合多种高压应用场景。
    - 低导通电阻:在-10V栅源电压下,导通电阻仅为0.012Ω,显著减少损耗,提升系统效率。
    - 卓越的电气特性:保证在极端温度下的性能稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:电池管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、电源保护模块等。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热设计合理,避免过热导致的失效。
    - 在高频应用中,需考虑寄生电容的影响,合理选择匹配的门极驱动电路以降低开关损耗。
    - 使用时注意栅源电压限制,避免超过±20V,以免损坏栅极绝缘层。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT5504L-TN3-T 可以与其他标准 TO-252 封装的电子元件互换使用,无需更改设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和应用指南,帮助客户顺利应用该器件。同时提供快速响应的客户服务热线 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET 温度过高。
    - 解决方案:改善散热设计,如增加散热片或风扇。
    - 问题:在高速切换时,MOSFET 寿命较短。
    - 解决方案:使用适当的门极电阻来减小开关时间,从而降低损耗。
    - 问题:漏电流较大。
    - 解决方案:检查电路是否存在短路或其他异常情况,确认接地连接良好。

    总结和推荐


    UT5504L-TN3-T MOSFET 是一款高性能的P沟道功率 MOSFET,适用于高压和高效率电力转换场合。其低热阻特性、低导通电阻和卓越的电气特性使其在市场上具有很强的竞争优势。综上所述,强烈推荐使用这款器件,特别是对于需要高可靠性和高效能的电力转换应用。

UT5504L-TN3-T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 65A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT5504L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT5504L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT5504L-TN3-T-VB UT5504L-TN3-T-VB数据手册

UT5504L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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起订量: 15 增量: 2500
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