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IRLZ24A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: IRLZ24A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLZ24A-VB

IRLZ24A-VB概述

    IRLZ24A-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRLZ24A-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道增强型 MOSFET,主要用于表面贴装。该产品具有无卤素设计,符合欧盟RoHS指令2002/95/EC标准。它的主要特点是低导通电阻、高动态 dv/dt 额定值以及快速开关能力。这些特性使其适用于多种应用场景,如电源转换、电机驱动、通信设备等。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 漏源电压(VDS): 60 V
    - 持续漏极电流(TC=25°C时): 50 A
    - 脉冲漏极电流(重复性): 200 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 400 mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt): 4.5 V/ns
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时: 0.024 Ω
    - VGS = 4.5 V 时: 0.028 Ω
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS): 25 μA (VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 190 pF (VDS = 25 V)
    - 输出电容(Coss): 190 pF (VDS = 25 V)
    - 反向传输电容(Crss):
    - 总栅电荷(Qg): 66 nC
    - 开关时间(td(on)): 17 ns (VDD = 30 V, ID = 51 A)

    产品特点和优势


    IRLZ24A-VB 的主要特点包括:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,适合环保要求高的应用。
    - 快速开关:动态 dv/dt 额定值和快速开关能力使其适合高频应用。
    - 逻辑级栅极驱动:简化了电路设计,减少了外部驱动器的需求。
    - 符合RoHS指令:符合欧盟RoHS指令,适用于多种电子产品。
    这些特点使其在市场上具备较强的竞争力,特别是在需要高效、快速响应的应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRLZ24A-VB 在电源转换、电机控制、照明系统等场合有着广泛应用。例如,在电源转换器中,它能够有效提高转换效率,减少损耗。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,以防止过热导致损坏。
    - 使用适当的栅极电阻以避免高频震荡。
    - 在高温环境下使用时,需注意降额使用,确保安全可靠。

    兼容性和支持


    IRLZ26A-VB 采用TO-220AB封装,可以方便地安装在标准PCB上。此外,VBsemi公司提供了良好的技术支持和服务保障,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改善气流。

    - 问题2: 开关频率过高导致电磁干扰。
    - 解决方案: 减小开关频率,优化电路布局,降低线路长度以减少寄生电感。

    总结和推荐


    IRLZ24A-VB 是一款性能优良、设计精良的 N 沟道 MOSFET。其独特的无卤素设计、快速开关能力和逻辑级栅极驱动使其在众多应用场合中表现出色。对于需要高效、可靠的电源管理解决方案的应用来说,这款产品是一个不错的选择。总体而言,强烈推荐使用IRLZ24A-VB作为关键电子元器件。

IRLZ24A-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLZ24A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLZ24A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLZ24A-VB IRLZ24A-VB数据手册

IRLZ24A-VB封装设计

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500+ ¥ 1.4006
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