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IPP06CN10N G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IPP06CN10N G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP06CN10N G-VB

IPP06CN10N G-VB概述

    IPP06CN10N G-VB N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP06CN10N G-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管)。这款器件采用ThunderFET® 技术,具备低导通电阻和高耐温性能,适用于多种高电流应用场合,如电源管理、电机驱动和电池管理系统等。

    2. 技术参数


    IPP06CN10N G-VB 的主要技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C)| ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 480 | - | - | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | 73 | - | - | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | 266 | - | mJ |
    | 最大功耗(Tc=25°C) | PD | - | 370 | - | W |
    | 最大功耗(Tc=125°C) | PD | - | 120 | - | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    IPP06CN10N G-VB 的主要特点是其ThunderFET® 技术、高达175°C的结温能力和100% Rg 和UIS测试,使其能够在极端环境下稳定工作。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.005 Ω),保证了高效的电能转换效率。此外,其支持最大480A的脉冲漏极电流,使其非常适合高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP06CN10N G-VB 可用于多种高电流应用场景,例如:
    - 开关电源: 利用其高效率和低损耗特性,提高电源模块的整体效率。
    - 电机驱动: 在电机控制应用中,确保高效和稳定的电机运行。
    - 电池管理系统: 作为电池保护电路的一部分,确保电池安全运行。
    使用建议:
    - 确保散热良好,尤其是在高电流应用中。
    - 避免长时间工作在额定电压和电流限制附近,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    IPP06CN10N G-VB 采用了标准的TO-220AB封装,可直接替换同类封装的其他MOSFET产品。制造商提供详细的技术支持,包括在线文档、产品规格书和技术咨询,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 设备过热
    解决办法: 加强散热措施,如使用散热片或散热器。
    问题2: 漏电流异常
    解决办法: 检查连接和安装是否正确,确保栅极驱动信号正常。
    问题3: 开关损耗大
    解决办法: 减少开关频率或优化驱动信号波形。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPP06CN10N G-VB是一款性能优良的N-Channel MOSFET,适合多种高电流应用场景。其高耐温能力和高效的电力转换性能使其成为市场上颇具竞争力的产品。强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用工程师和技术采购人员。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

IPP06CN10N G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP06CN10N G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP06CN10N G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP06CN10N G-VB IPP06CN10N G-VB数据手册

IPP06CN10N G-VB封装设计

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100+ ¥ 6.299
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