处理中...

首页  >  产品百科  >  K2750-VB

K2750-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2750-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2750-VB

K2750-VB概述

    K2750-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2750-VB 是一款 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动器等领域。MOSFET 是一种常见的电子元件,以其高效率和快速响应能力著称,广泛用于电力电子系统的设计中。

    技术参数


    - 额定电压 \( V{DS} \):650V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):10V 时为 2.5Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \):最大值 48nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \):12nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \):19nC
    - 连续漏电流 \( ID \):25°C 时为 3.8A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \):6mJ
    - 最高工作温度 \( T{J,max} \):150°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \):-55°C 至 +150°C
    - 封装形式:TO-220 Fullpak

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 \( Qg \):低栅极电荷降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐受性:提高了整体耐久性,适合于严苛的应用环境。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流特性:提供了详细的电气特性数据,便于精确应用。
    - 符合 RoHS 指令:符合欧盟关于限制某些有害物质在电气和电子设备中的使用的指令。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:可用于高压转换器、电机驱动器和逆变器系统。例如,在高压转换器中,MOSFET 承担关键的开关角色,确保高效的能量转换。
    - 使用建议:在设计高压电路时,确保负载电流和热管理能够满足 \( ID \) 和 \( T{J,max} \) 的要求。建议使用低阻抗驱动器来降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准 TO-220 Fullpak 封装的组件兼容,便于集成到现有的设计中。
    - 支持:厂商提供全面的技术文档和支持,包括典型应用电路和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的栅极电阻 \( RG \)?
    - 解决方案:根据 \( Qg \) 的值选择合适的栅极电阻 \( RG \),以确保快速且可靠的开关性能。通常,参考制造商提供的应用笔记进行选择。
    2. 问题:在高温环境下如何保证 MOSFET 的可靠性?
    - 解决方案:确保电路设计考虑到高温度下的功率耗散,使用适当的散热措施如散热片或风扇,以保持 \( TJ \) 在安全范围内。

    总结和推荐


    K2750-VB MOSFET 凭借其低栅极电荷、高耐久性和广泛的适用温度范围,成为高压电力电子应用的理想选择。其简便的驱动需求和全面的电气特性使其在众多应用场景中表现出色。总体来说,我们强烈推荐使用 K2750-VB MOSFET 来构建高效、可靠的电力电子系统。

K2750-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2750-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2750-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2750-VB K2750-VB数据手册

K2750-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0