处理中...

首页  >  产品百科  >  K3580-01MR-VB

K3580-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3580-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3580-01MR-VB

K3580-01MR-VB概述

    K3580-01MR-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K3580-01MR-VB 是一款 N-Channel 550V 电源 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)及快速开关速度等特性。这些特性使其成为多种应用的理想选择,如消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接设备、感应加热设备、电机驱动以及电池充电器和功率因数校正(PFC)等。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 VDS | 550 | V |
    | 最小栅源阈值电压 VGS(th) | 2 | V |
    | 最大栅源电压 VGS | ± 20 | V |
    | 最大连续漏电流 ID | 18 | A |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 56 | A |
    | 饱和漏源导通电阻 RDS(on) | 0.26 | Ω |
    | 最大总门极电荷 Qg | 150 | nC |
    | 最大门极-源极电荷 Qgs | 12 | nC |
    | 最大门极-漏极电荷 Qgd | 25 | nC |

    产品特点和优势


    1. 优化设计:
    - 低区域特定导通电阻 (RDS(on))
    - 低输入电容 (Ciss),有助于减少电容切换损耗
    - 高体二极管坚固性
    - 额定单脉冲雪崩能量 (UIS)
    2. 优化效率和运行:
    - 低成本
    - 简化的栅极驱动电路
    - 低性能指标 (Ron x Qg)
    - 快速开关速度

    应用案例和使用建议


    - 消费电子:应用于 LCD 或等离子电视显示屏。
    - 服务器和电信电源供应系统:适用于开关模式电源(SMPS)。
    - 工业:用于焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:用于各种类型的充电器。
    - SMPS:适用于功率因数校正(PFC)。
    在实际应用中,需确保适当的散热设计以保持器件稳定运行。建议通过测试不同条件下的热性能来确定最佳工作点。

    兼容性和支持


    K3580-01MR-VB MOSFET 具有标准 TO-220 FULLPAK 封装,与现有电路板布局兼容性良好。VBsemi 公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够高效解决问题并优化产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 过高的漏电流导致发热过多:确保正确安装散热片,保持器件在额定温度范围内运行。
    2. 门极电压不稳定:检查电源电压和门极驱动电路的稳定性,必要时增加稳压电路。
    3. 开关频率过高导致能耗增大:适当降低开关频率,调整门极驱动信号以降低损耗。

    总结和推荐


    K3580-01MR-VB N-Channel 550V MOSFET 在其关键参数和功能上表现出色,特别适合于高可靠性需求的应用。其低成本、低输入电容、快速开关速度等特性使其在市场上具有很高的竞争力。总体而言,这款 MOSFET 产品值得推荐,尤其是在对高效率和稳定性要求较高的应用场景中。

K3580-01MR-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3580-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3580-01MR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3580-01MR-VB K3580-01MR-VB数据手册

K3580-01MR-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831