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K2817-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2817-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2817-VB

K2817-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    本产品是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K2817。其独特的TrenchFET®技术使其具有优异的性能和可靠性。该器件适用于多种应用领域,包括服务器电源管理、直流/直流转换器以及二极管替代品等。通过其出色的开关特性和低导通电阻,该器件能够有效提高系统的效率和稳定性。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):30 V
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\):1.5 V 至 2.0 V
    - 门源漏电流 \(I{DSS}\):1 µA @ \(V{DS}\) = 30 V, \(V{GS}\) = 0 V
    - 导通状态下的漏源电阻 \(R{DS(on)}\):0.007 Ω @ \(V{GS}\) = 10 V, 0.009 Ω @ \(V{GS}\) = 4.5 V
    - 总栅极电荷 \(Qg\):25 nC 至 45 nC @ \(V{DS}\) = 15 V
    - 开关延迟时间 \(t{d(on)}\):18 ns 至 27 ns @ \(V{GS}\) = 10 V
    - 下降时间 \(tf\):10 ns 至 15 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):30 V
    - 门源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 持续漏极电流 \(ID\):8 A @ \(TC\) = 25 °C, 1 A @ \(TA\) = 70 °C
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):94.8 mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\):100 W @ \(TC\) = 25 °C
    - 热阻抗:
    - 最大结壳稳态热阻 \(R{thJC}\):0.5 K/W 至 0.6 K/W
    - 最大结点至环境热阻 \(R{thJA}\):32 K/W 至 40 K/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽型结构,提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 全检测试:所有样品均经过100%的栅极电阻和短路耐受测试,确保产品的可靠性和一致性。
    3. 符合RoHS指令:产品完全符合欧盟RoHS标准,适合环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源管理:由于其高效率和高可靠性,K2817特别适合用于数据中心的服务器电源管理模块。
    - 直流/直流转换器:在直流/直流转换器设计中,其低导通电阻可减少功率损耗,提升整体效率。
    - OR-ing电路:在电源系统中作为保护和冗余部件使用,提升系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,需要合理散热以保证长期稳定运行。
    - 选择合适的驱动电路和外围电路,优化其开关特性和减少功耗。

    兼容性和支持


    K2817 MOSFET采用TO-252封装,具有广泛的应用范围。它与其他主流电路板和系统兼容,适用于多种PCB设计。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,客户可以获取相关的技术文档和软件工具,以便于产品设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现高频振荡。
    - 解决方案: 在门极添加合适的去耦电容,改善驱动信号的质量。

    2. 问题: 发热过高导致器件损坏。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或风扇,确保良好的热管理系统。

    3. 问题: 功率损耗较大。
    - 解决方案: 优化电路布局和参数设置,选择合适的驱动电阻值和降低工作频率。

    总结和推荐


    K2817 MOSFET凭借其优秀的电气性能和可靠的稳定性,在众多应用场景中表现出色。其TrenchFET®技术进一步提升了其在高效率和高性能方面的竞争力。对于需要高效率和高可靠性的系统,如服务器、数据中心和工业自动化,我们强烈推荐使用这款产品。总体而言,K2817是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET,非常适合各种严苛的应用环境。

K2817-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2817-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2817-VB数据手册

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K2817-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2500+ ¥ 1.1597
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