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J132-Z-T1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J132-Z-T1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J132-Z-T1-VB

J132-Z-T1-VB概述

    # VBsemi J132-Z-T1 P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBsemi J132-Z-T1 是一款高性能的 P 沟道增强型 30V MOSFET,专为高效率电源管理设计。该器件采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,具有卓越的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)。这款 MOSFET 广泛应用于负载开关、笔记本适配器开关以及其他高效率电源电路。
    主要特点
    - 环保认证:无卤素设计,符合 RoHS 和 Halogen-Free 标准。
    - 耐用性测试:100% RG 测试和 UIS 测试,确保产品质量。
    - 应用广泛:适用于负载开关、笔记本适配器开关等高功率密度应用。

    技术参数


    以下是 J132-Z-T1 的关键技术和电气特性参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VGS(th) | -1.0 | -2.5 V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.033 0.046 | Ω |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID 30 A |
    | 芯片工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    工作环境
    - 最大工作电压:30V
    - 最高结温:150°C
    - 热阻抗:RthJA = 38°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    J132-Z-T1 MOSFET 在以下方面表现出色:
    1. 低导通电阻:典型值为 0.033Ω(VGS = -10V),有效降低功耗。
    2. 高可靠性:通过严格的生产测试(如 100% RG 和 UIS 测试),确保长期稳定运行。
    3. 高效节能:优秀的动态性能和低栅极电荷,适合高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    J132-Z-T1 MOSFET 可广泛应用于以下场景:
    - 负载开关:在笔记本电脑适配器中实现高效的电压调节。
    - 电源管理系统:用于直流到直流转换器,提供稳定可靠的电源输出。
    使用建议:
    - 在高频率切换应用中,应选择合适的栅极驱动器以匹配 MOSFET 的开关速度。
    - 注意散热设计,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    J132-Z-T1 MOSFET 可与其他标准 TO-252 封装的产品兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品选型指南、设计工具和客户技术支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及解决方法:
    1. 问题:MOSFET 过热
    解决方案:增加散热片或改善 PCB 设计以提高散热效率。
    2. 问题:漏电流异常
    解决方案:检查电路布局,确保正确的接地和屏蔽。

    总结和推荐


    VBsemi J132-Z-T1 P 沟道 30V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,非常适合需要高效能电源管理的应用场合。其卓越的导通电阻、低功耗特性和完善的测试流程使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要优化能效的设计,强烈推荐使用此产品。
    推荐指数:★★★★★

J132-Z-T1-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 26A
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J132-Z-T1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J132-Z-T1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J132-Z-T1-VB J132-Z-T1-VB数据手册

J132-Z-T1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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