处理中...

首页  >  产品百科  >  K3135-VB

K3135-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: K3135-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3135-VB

K3135-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的单通道晶体管,适用于广泛的电力电子应用。它采用TrenchFET®(沟槽型场效应晶体管)技术,具有低热阻封装和可靠的测试标准。该产品在工业控制、电源管理及各类开关电路设计中表现出色。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 额定栅源电压 (VGS): ±20V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID): 97A (TC=25°C), 56A (TC=125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 290A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 45A
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散 (PD): 136W (TC=25°C), 45W (TC=125°C)
    - 温度范围:
    - 工作结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:低导通电阻和高可靠性的独特组合,确保在高温和高压环境下稳定运行。
    - 低热阻封装:有助于快速散热,提高工作效率。
    - 全面测试:100% 测试保证,涵盖电阻(Rg)和雪崩能量(UIS)等关键指标。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下正常工作,适用于各种严苛的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和电池管理系统等领域。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计符合安全规范,特别是在高压环境中使用时。
    - 适当增加散热措施,如使用散热片或风扇以提高冷却效果。
    - 注意温度监测,避免过热导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与大多数标准电源管理 IC 和微控制器配套使用,适用于不同类型的电路设计。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得专业指导和技术帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何测量 MOSFET 的导通电阻?
    - 解答:使用万用表在 10V 栅源电压下测量漏源间电阻,读数即为导通电阻(RDS(on))。

    - 问题 2:MOSFET 在高温环境下工作会失效吗?
    - 解答:如果温度超过规定的最大工作温度(175°C),可能会导致性能下降甚至失效。建议采取有效的散热措施,确保工作温度在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 60V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具备出色的电气特性和可靠的稳定性。适用于工业控制、电源管理和电池管理系统等多个领域。对于需要高性能和可靠性保证的应用场景,该产品无疑是理想的选择。强烈推荐在高端电力电子系统中使用此产品,以提升整体系统的性能和稳定性。

K3135-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 110A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3135-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3135-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3135-VB K3135-VB数据手册

K3135-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0