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NP82N06PLG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: NP82N06PLG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP82N06PLG-VB

NP82N06PLG-VB概述

    NP82N06PLG MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NP82N06PLG 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有 60V 的漏源电压 (VDS)。这款 MOSFET 主要应用于电源转换、电机驱动、汽车电子和通信系统等领域,为设计者提供高效的电力转换和控制解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 120 65 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 350 | A |
    | 雪崩单脉冲电流 | IAS 65 | A |
    | 雪崩单脉冲能量 | EAS 211 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD 220 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    NP82N06PLG 采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,具有低热阻封装。该产品还通过了 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保其可靠性和稳定性。此外,该产品在高温和低温环境下均能保持出色的性能,适用于各种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 常用于开关电源、电池充电器和直流电机驱动等场合。例如,在开关电源的设计中,NP82N06PLG 可以有效降低功耗并提高转换效率。对于电池充电器的应用,该 MOSFET 能够提供快速且稳定的充电性能。
    使用建议:
    1. 在选择散热方案时,建议根据 RthJA(结到环境热阻)参数来确定散热片的大小。
    2. 使用时应注意不要超过最大额定值,特别是在高电流和高温条件下。
    3. 在高频开关应用中,建议使用较低的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    NP82N06PLG 采用 TO-263 封装,易于安装在标准 PCB 上。该产品与大多数主流电源管理和控制电路兼容。VBsemi 公司提供详细的技术支持和售后维护,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下 MOSFET 发生过热。
    解决方案:增加外部散热片,或者降低工作电流以减少热量产生。

    2. 问题:长时间使用后 MOSFET 出现性能下降。
    解决方案:检查电路是否存在异常,如短路或电压不稳,并进行相应的维修或更换。

    3. 问题:在低温环境下 MOSFET 表现不佳。
    解决方案:使用加热线圈或加热器,确保工作温度不低于最低工作温度限制。

    总结和推荐


    综上所述,NP82N06PLG MOSFET 在高效率、可靠性和适应性强等方面表现优异。无论是电源管理还是电机驱动,它都是一个值得信赖的选择。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的设计师和工程师们。

NP82N06PLG-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 150A
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP82N06PLG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP82N06PLG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP82N06PLG-VB NP82N06PLG-VB数据手册

NP82N06PLG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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