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P3057LCG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: P3057LCG-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P3057LCG-VB

P3057LCG-VB概述


    产品简介


    产品类型与功能
    本产品是一款N沟道30伏(D-S)功率MOSFET,型号为P3057LCG。它采用TrenchFET®工艺制造,提供低导通电阻(RDS(on)),适用于便携式设备的负载开关应用。
    主要功能
    - 高效开关:由于其低导通电阻,该器件能够实现高效开关操作。
    - 宽温度范围:适用于-55°C至150°C的工作温度范围。
    - 超低栅极电荷:总栅极电荷低至10 nC,确保快速开关性能。
    - 单极性控制:通过简单的栅极电压控制即可实现开关操作。
    应用领域
    - 便携式设备的负载开关:例如手机、平板电脑等移动设备中的电源管理。
    - 其他需要高效率、低功耗的电路设计中。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 30 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C 时:ID = 6.8 A
    - TC = 70 °C 时:ID = 6 A
    - TA = 25 °C 时:ID = 6.8 A
    - TA = 70 °C 时:ID = 6 A
    - 脉冲漏电流:IDM = 30 A
    - 最大功耗:
    - TC = 25 °C 时:PD = 6.3 W
    - TC = 70 °C 时:PD = 4 W
    - TA = 25 °C 时:PD = 2.5 W
    - TA = 70 °C 时:PD = 1.6 W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 最大结-壳热阻:RthJC ≤ 50 °C/W
    - 最大结-脚热阻:RthJF ≤ 20 °C/W

    产品特点和优势


    - 环保材料:该产品符合RoHS标准,无卤素,符合欧洲议会2011/65/UE指令。
    - 高性能:低导通电阻(RDS(on))0.022 Ω @ VGS = 4.5 V,具备优秀的开关性能和低损耗。
    - 高可靠性:宽工作温度范围和高抗冲击性能,适用于各种恶劣环境。
    - 高集成度:采用SOT89封装,占用空间小,易于焊接和组装。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在智能手机和平板电脑中作为电池充电器的负载开关,提供高效的电源管理。
    - 在小型家用电器中作为开关电源的控制元件。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,以避免过温导致的损坏。
    - 使用适当的焊接方法,例如波峰焊而非手工烙铁焊接,以确保焊接质量。


    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有良好的电气特性和热特性,与大多数常见的电子系统兼容。
    - 技术支持:厂商提供详细的安装指南和技术支持,确保客户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保焊接质量?
    - 答:建议使用波峰焊进行焊接,手动焊接不推荐用于无引线组件。
    2. 问:如何选择合适的散热措施?
    - 答:根据器件的最大功耗计算热阻,并使用适当的散热器或散热片来保证散热效果。

    总结和推荐


    该N沟道MOSFET具有出色的性能指标和广泛的适用范围,特别适合便携式设备的负载开关应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为高效电源管理的理想选择。对于需要在苛刻环境中工作的电路设计,P3057LCG是一个非常值得推荐的产品。

P3057LCG-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.8A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,45mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P3057LCG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P3057LCG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P3057LCG-VB P3057LCG-VB数据手册

P3057LCG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 0.745
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