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TPC8403-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: TPC8403-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8403-VB

TPC8403-VB概述

    # TPC8403 N-Channel and P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPC8403 是一款集成了 N-Channel 和 P-Channel 两种型号的 30V(漏源电压)TrenchFET® 功率 MOSFET。该系列产品广泛应用于电机驱动及移动电源等领域。该器件具有出色的热稳定性和高可靠性,能够有效满足现代电力系统的需求。

    技术参数


    N-Channel MOSFET
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30V
    - 最大栅极电压 \( |V{GS}| \):±20V
    - 连续漏极电流(\( TJ \) = 150°C):6.8A(\( TC \) = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(10 µs脉宽):40A
    - 最大零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \):1μA @ \( V{DS} \) = 30V, \( TJ \) = 25°C
    - 正常工作结温范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(\( TA \) = 25°C):50°C/W
    P-Channel MOSFET
    - 漏源电压 \( V{DS} \):-30V
    - 最大栅极电压 \( |V{GS}| \):±20V
    - 连续漏极电流(\( TJ \) = 150°C):6.6A(\( TC \) = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(10 µs脉宽):40A
    - 最大零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \):-1μA @ \( V{DS} \) = -30V, \( TJ \) = 25°C
    - 正常工作结温范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(\( TA \) = 25°C):47°C/W

    产品特点和优势


    TPC8403 的主要特点是:
    - Halogen-Free:符合IEC 61249-2-21定义。
    - TrenchFET® Technology:具有更低的导通电阻和更优的热稳定性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量的一致性和可靠性。
    - RoHS 合规:完全符合欧盟 RoHS 指令。
    这些特点使得 TPC8403 在各种电力系统中表现出色,特别是在电机驱动和移动电源应用中,可以显著提高系统的效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:TPC8403 作为电机驱动电路中的关键元件,可有效控制电流并提供低损耗性能。
    - 移动电源:用于便携式电源管理系统中,提升电源转换效率和系统稳定性。
    使用建议
    - 在选择工作条件时,注意栅极电压 \( V{GS} \) 限制,避免超出器件的最大额定值。
    - 针对高功率应用,建议使用散热片以降低热阻,从而延长器件寿命。
    - 确保正确的封装尺寸和焊盘设计,以获得最佳的电气和机械性能。

    兼容性和支持


    - TPC8403 支持标准 SO-8 封装,可轻松集成到现有系统中。
    - 厂商提供了详细的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用笔记和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间运行后温度过高?
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或增强空气流通。

    2. 问题:启动时过流保护频繁触发?
    - 解决方案:检查外围电路设计,确保负载匹配和电源供应稳定。
    3. 问题:系统响应速度慢?
    - 解决方案:优化驱动电路设计,减少门极电荷时间。

    总结和推荐


    TPC8403 N-Channel 和 P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适用于电机驱动和移动电源等应用。其低导通电阻、优异的热稳定性以及 RoHS 合规性使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐使用此产品以提高系统效率和可靠性。

TPC8403-VB参数

参数
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9A,6A
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8403-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8403-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8403-VB TPC8403-VB数据手册

TPC8403-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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