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K3607-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K3607-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3607-01MR-VB

K3607-01MR-VB概述

    N-Channel 200V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种适用于多种应用场景的高性能电子元器件。该产品采用表面贴装和低轮廓通孔设计,提供了极佳的动态dv/dt额定值、快速开关速度及全雪崩额定值。其独特的设计使其符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义)、RoHS 指令(2002/95/EC),并广泛应用于各种工业控制和汽车电子等领域。

    技术参数


    - 额定电压 \( V{DS} \): 200V
    - 静态电流 \( ID \): 14A (TC = 100°C)
    - 动态峰值电流 \( I{DM} \): 72A
    - 静态断开电压 \( V{DS} \): 200V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.058Ω (VGS = 10V)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1300pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 430pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 130pF
    - 最大雪崩能量 \( E{AS} \): 580mJ
    - 热阻抗 \( R{thJA} \): 40°C/W (稳态,PCB安装)

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,减少对环境的影响。
    - 表面贴装:方便自动化生产和提高生产效率。
    - 低轮廓通孔设计:适合紧凑型设计需求。
    - 高耐热性:能在高达150°C的工作温度下稳定运行。
    - 快速开关:优秀的dv/dt额定值和低RDS(on),使得该MOSFET具有优异的开关性能。
    - 全面的雪崩额定值:确保在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 200V MOSFET广泛应用于电力电子变换器、逆变器和电机驱动器等系统中。例如,在电动汽车的DC-DC转换器中,可以显著提高系统的能效和响应速度。为了优化性能,建议在电路布局时尽量减少杂散电感,并采用大面积接地平面以降低电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET能够与其他标准封装的电子元器件兼容,方便集成到现有的设计中。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取帮助,同时官方网站也提供了丰富的资源库和技术支持文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致温度升高
    - 解决方案: 在电路设计时增加散热片,并选择适当的栅极电阻来控制开关速度。
    - 问题: 在高脉冲电流下出现击穿现象
    - 解决方案: 确保在规定的脉冲宽度和占空比范围内使用,并考虑使用散热装置来改善热管理。

    总结和推荐


    N-Channel 200V MOSFET凭借其出色的性能、高可靠性以及广泛的应用范围,非常适合于需要高效功率管理和严格工作环境的场合。总体而言,这款MOSFET在电力电子应用中表现出色,是市场上极具竞争力的产品之一,我们强烈推荐使用。
    通过上述内容,读者可以全面了解N-Channel 200V MOSFET的技术细节及其在实际应用中的表现,从而更好地进行选型和应用。

K3607-01MR-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3607-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3607-01MR-VB数据手册

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K3607-01MR-VB封装设计

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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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