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IPD60R520C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IPD60R520C6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R520C6-VB

IPD60R520C6-VB概述

    IPD60R520C6 4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD60R520C6 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。该器件采用TO-252封装,具有低栅极电荷、低导通电阻和高可靠性等特点,特别适合服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等工业领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDS (max.) = 650 V @ TJ (max.)
    - 最大漏源导通电阻:RDS(on) max. = 0.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 4 A
    - 总栅极电荷:Qg max. = 13 nC
    - 门极-源极电荷:Qgs = 3.5 nC
    - 门极-漏极电荷:Qgd = 3.8 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:650 V
    - 门极源极电压 VGS:±30 V
    - 连续漏极电流 ID(TJ = 150 °C):14 A @ VGS = 10 V
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:97 mJ

    产品特点和优势


    - 低优值系数(FOM)Ron x Qg:降低整体能耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少栅极充电时间,提升开关速度。
    - 降低开关损耗和导通损耗:保证高效运行,尤其在高频操作时表现优异。
    - 超低门极电荷(Qg):减少开关过程中的能量损失。
    - 重复冲击能量(UIS):保证设备的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:适用于高要求的电源管理场合,如服务器、交换机等。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):适用于需要快速响应和高能效的电源转换场合。
    - 功率因数校正电源(PFC):提高电源系统的效率,降低能源浪费。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯等,提高灯具的性能和寿命。
    使用建议:在高频率开关应用中,应确保散热设计合理,避免过热导致性能下降。同时,建议在设计电路时考虑较低的寄生电感,以提高整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD60R520C6 具有良好的兼容性,适用于多种标准电源设计。
    - 支持和维护:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业支持,确保用户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或改进空气流通。
    2. 问题:开关延迟
    - 解决方案:调整驱动电路的参数,降低寄生电感的影响。
    3. 问题:栅极电荷过高
    - 解决方案:选择更低Qg的替代产品或优化电路布局。

    总结和推荐


    IPD60R520C6 是一款高度集成、性能优越的功率MOSFET,适用于多种电力电子应用。其出色的性能和高可靠性使其成为市场上同类产品的佼佼者。我们强烈推荐在高要求的应用场景中使用这款产品,例如服务器电源、电信设备和照明系统等。如果您正在寻找一种高效的电源管理解决方案,IPD60R520C6 将是一个理想的选择。

IPD60R520C6-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R520C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R520C6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R520C6-VB IPD60R520C6-VB数据手册

IPD60R520C6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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