处理中...

首页  >  产品百科  >  J599-Z-E2-AZ-VB

J599-Z-E2-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J599-Z-E2-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J599-Z-E2-AZ-VB

J599-Z-E2-AZ-VB概述

    P-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    P-Channel 60V MOSFET 是一种采用沟槽场效应晶体管(TrenchFET)技术的功率半导体器件。它具有高可靠性、低导通电阻和优异的热性能,广泛应用于各种高边开关和直流/交流转换器中,例如全桥转换器和液晶显示器(LCD)中的DC/DC转换器。

    技术参数


    - 基本电气参数:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 最大连续漏电流 (ID):26A(在25°C时)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):100A
    - 雪崩击穿电流 (IAS):22A(单脉冲)
    - 雪崩能量 (EAS):24.2mJ(单脉冲)
    - 极限参数:
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 静态参数:
    - 穿透电压 (VDS):60V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):-1V 至 -3V
    - 栅泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):130pF
    - 输出电容 (Coss):90pF
    - 转移电容 (Crss):26nC
    - 总栅极电荷 (Qg):26nC

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100%的UIS测试,确保产品的可靠性。
    - 环保标准:符合RoHS标准,无卤素设计。
    - 低导通电阻:在不同栅源电压下的导通电阻非常低,从而减少能耗和温升。
    - 优异的热性能:具有较低的热阻抗(RthJA),适合在高温环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高边开关:在全桥转换器中用作高边开关。
    - 直流/交流转换器:适用于LCD显示器中的DC/DC转换器。
    - 使用建议:
    - 在使用时,应注意保持栅源电压在-1V至-3V范围内,以确保最佳性能。
    - 建议在电路设计时考虑器件的热管理,特别是在大电流应用中,需要增加散热片以提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数常见的PCB材料兼容,适用于各种封装。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和文档资源,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:漏电流过大。
    - 解决方案:检查电路设计是否正确,确保栅源电压在指定范围内。

    - 问题2:器件过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片,并确保良好的热管理。

    总结和推荐


    P-Channel 60V MOSFET 是一款高性能的功率半导体器件,适用于多种工业应用。其低导通电阻、优异的热性能和高可靠性使其成为高边开关和直流/交流转换器的理想选择。建议在进行电路设计时充分考虑其性能参数和使用条件,以发挥其最佳性能。
    如果您对P-Channel 60V MOSFET有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

J599-Z-E2-AZ-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,57mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 22A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J599-Z-E2-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J599-Z-E2-AZ-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J599-Z-E2-AZ-VB J599-Z-E2-AZ-VB数据手册

J599-Z-E2-AZ-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504