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UT6401L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: UT6401L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT6401L-AE3-R-VB

UT6401L-AE3-R-VB概述


    产品简介


    UT6401L-AE3-R是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET电子元器件,具有高电压隔离、耐高温及低热阻等特点。该产品广泛应用于电力电子系统、电源转换器和电机驱动等领域,尤其适合需要高可靠性和高性能的应用场景。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS): ± 20 V
    - 漏极-源极电压(VDS): - 60 V
    - 持续漏极电流(ID):
    - 在-10 V时, 25 °C时为-5.2 A
    - 100 °C时为-3.8 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): - 21 A
    - 最大功率耗散(PD): 27 W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt): - 4.5 V/ns
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): - 55至+ 175 °C
    规格参数
    - 静态漏源击穿电压(VDS): - 60 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.04 Ω @ VGS = - 10 V
    - 输入电容(Ciss): 270 pF
    - 输出电容(Coss): 170 pF
    - 反向传输电容(Crss): 31 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 12 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 3.8 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 5.1 nC
    - 导通延迟时间(td(on)): 11 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 9.6 ns
    - 内部源电感(LS): 7.5 nH
    - 内部漏电感(LD): 4.5 nH

    产品特点和优势


    UT6401L-AE3-R的主要特点是其高电压隔离能力(2.5 kVRMS)、低热阻(RthJA = 65 °C/W)以及高达175 °C的操作温度范围。这些特点使其适用于高压和高温环境下工作的电力电子设备。此外,该产品采用无铅设计,符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    UT6401L-AE3-R可应用于各种电力转换电路,如开关电源、电机驱动器等。在设计这类应用时,需特别注意电路布局以减少杂散电感的影响。对于高压应用场景,合理的散热措施是必须的,以避免过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    UT6401L-AE3-R与市场上常见的其他电子元器件具有良好的兼容性,用户可以轻松将其集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中的振铃现象明显。
    - 解决办法: 通过调整栅极电阻(RG)和外部去耦电容来减小振铃。
    2. 问题: 高温下工作不稳定。
    - 解决办法: 采取有效的散热措施,如增加散热片或优化散热路径。

    总结和推荐


    UT6401L-AE3-R凭借其出色的电气特性和可靠性,成为一款优秀的P沟道MOSFET器件。它非常适合高压和高温环境下的应用。强烈推荐使用这款产品,特别是对性能要求较高的电力电子系统。

UT6401L-AE3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 5.2A
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT6401L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT6401L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT6401L-AE3-R-VB UT6401L-AE3-R-VB数据手册

UT6401L-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
3000+ ¥ 0.8284
库存: 400000
起订量: 30 增量: 3000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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