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IRLZ34SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: 14M-IRLZ34SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLZ34SPBF-VB

IRLZ34SPBF-VB概述


    产品简介


    本篇技术手册涵盖了IRLZ34SPBF-VB型号的N-Channel 60 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用表面贴装设计,适用于各种电路中的电源转换和信号控制应用。IRLZ34SPBF-VB通过无卤素制造和符合RoHS标准确保环保要求。产品可用于多种电子设备,如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 10 V
    - 持续漏极电流(\( TC = 25^\circ C \)): 50 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 最大功耗 \( PD \): 150 W
    额定值和特性
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V 至 3.0 V
    - 源漏通态电阻 \( R{DS(on)} \) @ \( V{GS} = 10 V \): 0.032 \(\Omega\)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3000 pF
    - 开关时间参数
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 17 ns
    - 上升时间 \( tr \): 230 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 42 ns
    - 下降时间 \( tf \): 110 ns

    产品特点和优势


    IRLZ34SPBF-VB具有如下显著优势:
    - 具备逻辑级栅极驱动,便于集成和控制
    - 快速开关特性,适用于高频操作环境
    - 高功率处理能力,能够在高温环境下稳定运行
    - 环保无卤材料,满足RoHS指令要求
    - 符合IEC 61249-2-21的无卤标准
    这些特点使其成为高性能电源管理系统的理想选择,在汽车电子、工业自动化、通信基础设施等领域有广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    IRLZ34SPBF-VB MOSFET广泛应用于需要高频率切换和低损耗的场合。例如,在DC-DC转换器中,它可以实现高效的电压转换;在电机驱动系统中,它能够提供精准的控制以减少能耗。
    使用建议
    - 在使用时,应根据具体应用场景设定合适的栅极电压(一般为10V),确保MOSFET处于最佳工作状态。
    - 建议进行适当的散热设计,特别是当环境温度较高时,以保证MOSFET的可靠性和延长使用寿命。
    - 在脉冲工作模式下,应合理限制脉冲宽度和占空比,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    IRLZ34SPBF-VB与多数常见的表面贴装技术兼容,能够轻松集成到现有设计中。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括但不限于产品规格查询、应用技术支持及售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关过程出现过热现象
    - 解决办法: 增加散热片或优化电路板布局,以改善散热条件。
    问题2: MOSFET在高频率工作下性能不稳定
    - 解决办法: 优化电路设计,尽量减少寄生电感的影响,提高电源滤波效果。

    总结和推荐


    总体来看,IRLZ34SPBF-VB是一款高性能、环保且易于集成的N-Channel MOSFET。其快速开关特性、优异的散热性能以及逻辑级驱动能力使其成为众多应用场景的理想选择。推荐在需要高效率和稳定性电源管理的场合使用。

IRLZ34SPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLZ34SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLZ34SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLZ34SPBF-VB IRLZ34SPBF-VB数据手册

IRLZ34SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.9411
10+ ¥ 3.7093
30+ ¥ 3.3106
100+ ¥ 2.4806
800+ ¥ 2.3878
2400+ ¥ 2.3183
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