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K1626-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K1626-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1626-VB

K1626-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    本文档所描述的产品是一款高性能 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高效率电源转换和控制的应用场景。其核心特点在于低导通电阻 (RDS(on)) 和低门极电荷 (Qg),能够显著降低开关损耗和导通损耗,从而提高整体能效。
    主要功能
    - 支持大范围电压输入,最高可达 650V。
    - 具有超低门极电荷,有效提升开关速度并减少驱动能耗。
    - 提供出色的雪崩耐受能力 (UIS),适用于恶劣工作环境。
    应用领域
    该产品广泛应用于多个行业,包括但不限于:
    - 服务器及电信电源系统。
    - 开关模式电源(SMPS)。
    - 功率因数校正(PFC)电源。
    - 工业照明设备,如高强度放电灯 (HID) 和荧光灯镇流器。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 5.0 | V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 最大漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 最大连续漏电流 | ID | - | - | 12.6 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | - | - | 28.0 | A |
    | 最大门极电荷 | Qg | - | 13.0 | - | nC |
    | 最大结壳热阻 | RthJC | - | 0.6 | - | °C/W |
    其他特性包括:
    - 超低反向恢复时间 (trr):典型值为 190ns。
    - 反向恢复电荷 (Qrr):典型值为 2.3μC。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 卓越的能效表现:低导通电阻和低门极电荷设计,显著降低电路中的功耗。
    2. 增强的可靠性:具备重复雪崩能量 (UIS) 额定值,确保在高能量应用中的稳定运行。
    3. 优化的开关性能:快速开关时间和极低的门极电荷特性使其适用于高频工作环境。
    市场竞争力
    相较于同类产品,该 Power MOSFET 在导通损耗和开关损耗之间的平衡表现出色。结合高可靠性及优化设计,使其成为高效电源管理的核心元件,在服务器、工业照明等领域具备强大的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源:该 MOSFET 在服务器电源系统中用于 PFC 部分,可大幅提高功率因数校正效率。
    2. 荧光灯镇流器:因其快速开关能力和低损耗特性,非常适合驱动高压气体放电灯。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保门极驱动电路能够提供稳定的门极信号,以避免由于电压不稳导致的误触发问题。
    - 在高频应用中,需特别注意 PCB 布局,尽量减少寄生电感和寄生电容的影响。
    - 对于工业环境下的应用,建议采用外部散热片来辅助散热,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品兼容标准 TO-220 Fullpak 封装,广泛适用于各种电源模块和逆变器设计。同时,其与市场上主流控制器的匹配性良好,适合直接替换旧款产品。
    支持和服务
    VBsemi 提供详细的技术文档和技术支持,包括应用指南、设计参考和故障排查手册。客户还可通过服务热线 400-655-8788 获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化 PCB 布局,增加散热装置。 |
    | 雪崩耐受能力不足导致损坏 | 确保工作电压低于额定值,并正确选用保护元件。 |
    | 无法正常关断 | 检查门极驱动电路是否符合要求。 |

    总结和推荐


    综合评估
    这款 Power MOSFET 凭借其低导通电阻、低门极电荷和优异的雪崩耐受能力,在高性能电源管理领域表现出色。其应用范围广泛,特别是在需要高能效和紧凑设计的场景下尤为适用。
    推荐结论
    我们强烈推荐这款 Power MOSFET 给对能效和稳定性要求较高的客户。无论是服务器电源、工业照明还是其他电力电子设备,该产品均能胜任关键角色。
    联系方式:如有任何疑问或需求,请拨打服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多支持!

K1626-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1626-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1626-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1626-VB K1626-VB数据手册

K1626-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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