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JCS4N60FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: JCS4N60FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N60FB-O-F-N-B-VB

JCS4N60FB-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS4N60FB-O-F-N-B-VB N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 是一款专为高功率应用设计的半导体元件。作为一款高性能N沟道MOSFET器件,它具有较低的导通电阻(RDS(on))和良好的开关性能,能够在各种恶劣环境下保持稳定的工作状态。此款器件广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动以及逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 2.5 Ω |
    | 栅极电荷总量 | Qg 48 nC |
    | 栅极-源极电荷量 | Qgs 12 nC |
    | 栅极-漏极电荷量 | Qgd 19 nC |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +150 | °C |
    | 最大功率耗散 | PD 30 | W |
    其他关键参数:
    - 栅极阈值电压:2.0~4.0V
    - 门限电流:±30V
    - 重复雪崩能量:6mJ

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:减少驱动电路复杂度,降低功耗。
    2. 高可靠性和鲁棒性:出色的栅极、雪崩及动态dV/dt耐受能力。
    3. 精确标定:门极电容、雪崩电压和电流经过全面测试验证。
    4. 环保认证:符合RoHS指令,绿色生产,环保友好。
    5. 高工作温度范围:适合严苛的工业环境。
    6. 紧凑封装设计:TO-220 Fullpak外壳设计,增强散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电源转换器:用于高压直流电源电路中,提高效率。
    - 电机驱动系统:通过快速开关切换来优化电机性能。
    - 不间断电源(UPS):为电池备份系统提供稳定的电力支持。
    使用建议
    - 在高电流负载下工作时,确保电路散热良好,避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动器以匹配其门极电荷需求,确保最佳开关速度。
    - 配合缓冲电路减少EMI干扰。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持广泛的驱动电路配置,适用于多种主控芯片。
    - 与市面上主流的TO-220 Fullpak封装模块完全兼容。
    支持信息:
    VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指导、样品申请以及在线技术支持。客户可以通过400-655-8788联系服务热线获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 确保合适的栅极驱动器配置。 |
    | 温度过高 | 改进散热设计或降低工作负载。 |
    | 无法正常启动 | 检查输入电压是否满足最小阈值要求。 |

    总结和推荐


    综合评价:
    JCS4N60FB-O-F-N-B-VB 是一款性能卓越、可靠性高的N沟道功率MOSFET。凭借其优异的导通特性、高效的开关性能以及广泛的温度适应能力,使其成为工业级应用的理想选择。此外,它的环保认证和厂商支持进一步提升了产品的市场竞争力。
    推荐使用:
    对于需要高性能和高可靠性的工业级电力电子应用,强烈推荐使用此款器件。在选择过程中,务必根据具体应用场景调整电路参数,以最大化发挥其优势。
    服务热线:400-655-8788
    官网链接:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

JCS4N60FB-O-F-N-B-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS4N60FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N60FB-O-F-N-B-VB JCS4N60FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS4N60FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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