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P9NK50ZFP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: P9NK50ZFP-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P9NK50ZFP-VB

P9NK50ZFP-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET (P9NK50ZFP) 技术手册

    1. 产品简介


    P9NK50ZFP 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其成为服务器电源、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明应用(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)的理想选择。此外,它还广泛应用于工业控制领域。

    2. 技术参数


    以下是 P9NK50ZFP 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):25 °C 时最大值为 0.15 Ω
    - 最大栅极电荷 (Qg):最大值为 43 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):最大值为 5 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):最大值为 22 nC
    - 持续漏极电流 (ID):TC = 25 °C 时最大值为 12 A,TC = 100 °C 时最大值为 9.4 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为 45 A
    - 热阻 (RthJA):最大值为 60 °C/W
    - 最大结温 (TJ):-55 °C 到 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):保证在高电流下的低功耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少栅极驱动损耗,加快响应速度。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步降低开关损耗。
    - 雪崩能量 (UIS):提供更高的可靠性和耐用性。
    这些特性使得 P9NK50ZFP 在高功率转换和高效率应用中表现出色,具有显著的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    P9NK50ZFP 主要用于以下几个方面:
    - 服务器电源和电信电源:确保高效且稳定的电源供应。
    - 开关模式电源 (SMPS):利用其低损耗特性,实现高效的能量转换。
    - 功率因数校正 (PFC) 电源:优化功率因数,提高系统效率。
    - 照明应用:例如 HID 和荧光灯照明,提供稳定的驱动能力。
    - 工业控制:适用于需要高可靠性的工业控制系统。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免过热导致性能下降。
    - 使用适当的栅极驱动器以优化开关性能。
    - 结合其他电子元件时,注意匹配合适的驱动电路以充分发挥其性能。

    5. 兼容性和支持


    P9NK50ZFP 具有良好的通用性和兼容性,适用于多种应用场合。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修服务。如果遇到任何问题,可随时联系客服热线 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:在高温环境下工作时,MOSFET 温度过高
    - 解决方案:增加散热片面积或使用散热器,优化散热设计。

    - 问题:开启和关闭时间较长
    - 解决方案:使用更低栅极电阻(Rg)的驱动器,优化栅极驱动信号。

    - 问题:栅极电压不稳定
    - 解决方案:检查并优化栅极驱动电路,确保稳定可靠的栅极电压供应。

    7. 总结和推荐


    P9NK50ZFP 是一款高性价比的高性能 N 沟道功率 MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性。它在高功率应用中表现优异,尤其是在服务器电源、电信电源、开关模式电源和工业控制等领域。考虑到其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐将其用于各种高功率转换和控制应用中。

P9NK50ZFP-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P9NK50ZFP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P9NK50ZFP-VB数据手册

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P9NK50ZFP-VB封装设计

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