处理中...

首页  >  产品百科  >  K1981-01-VB

K1981-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K1981-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1981-01-VB

K1981-01-VB概述

    N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel Power MOSFET(型号:K1981-01-VB)是一款高性能的场效应晶体管,广泛应用于各种电源转换和驱动电路中。该产品采用TO-220AB封装,具有低门极电荷、高鲁棒性和易于驱动的特点。适用于多种应用场景,如开关电源、电机驱动、电池充电器等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)):2.0V - 4.0V
    - 连续漏极电流 (ID):13A @ VGS = 10V, TC = 25°C;8.1A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 最大功率耗散 (PD):250W @ TC = 25°C
    - 门极电荷 (Qg):81nC
    - 输入电容 (Ciss):1910pF
    - 输出电容 (Coss):290pF
    - 反向传输电容 (Crss):11pF
    - 有效输出电容 (Cosseff.):160pF
    - 门极-源极电荷 (Qgs):20nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):36nC
    - 结到外壳热阻 (RthJC):0.50°C/W
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷 (Qg):降低了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    2. 增强的鲁棒性:门极、雪崩和动态dV/dt耐久性得到了显著改进。
    3. 全面的电容和雪崩电压特性:经过完全表征,确保产品可靠性。
    4. 符合RoHS指令:产品符合欧洲RoHS环保标准,环保无害。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:可以作为主开关使用,降低功耗,提高效率。
    - 电机驱动:适用于电机控制和驱动电路,提供稳定的电流输出。
    - 电池充电器:用于电池充电器中,保证安全高效的充电过程。
    使用建议:
    - 在选择合适的门极电阻 (Rg) 时,建议根据具体的应用场景进行调整,以优化驱动效果。
    - 注意散热管理,避免过高的温升影响产品性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与主流驱动电路和控制器兼容,适合多种应用环境。
    - 支持和服务:提供详细的安装指南和技术支持服务,确保客户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的门极电阻?
    解决方案:建议通过计算和实验来确定最适宜的门极电阻值,以达到最佳的驱动效果。

    - 问题:如何优化散热?
    解决方案:采用高效的散热设计,如增加散热片、优化电路布局,以减少热量积累。

    总结和推荐


    优点:
    - 低门极电荷,简化驱动电路设计;
    - 高鲁棒性,提高了产品可靠性;
    - 符合环保标准,适用范围广。
    推荐:
    这款N-Channel Power MOSFET K1981-01-VB 性能卓越,适用于多种应用场景,尤其是在需要高效、可靠驱动的场合。强烈推荐使用此产品。更多详细信息请访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系服务热线 400-655-8788。

K1981-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 13A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1981-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1981-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1981-01-VB K1981-01-VB数据手册

K1981-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336